[发明专利]一种基于薄带连铸工艺的取向硅钢快速二次再结晶的方法有效
| 申请号: | 201710402833.4 | 申请日: | 2017-06-01 |
| 公开(公告)号: | CN107164692B | 公开(公告)日: | 2018-11-06 |
| 发明(设计)人: | 王洋;张元祥;方烽;兰梦飞;卢翔;李成刚;曹光明;袁国;王国栋 | 申请(专利权)人: | 东北大学 |
| 主分类号: | C22C38/02 | 分类号: | C22C38/02;C22C38/04;C22C38/06;C21D8/12;B22D11/06;B22D11/124 |
| 代理公司: | 沈阳优普达知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 21234 | 代理人: | 张志伟 |
| 地址: | 110819 辽宁*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 基于 薄带连 铸工 取向 硅钢 快速 二次 再结晶 方法 | ||
1.一种基于薄带连铸工艺的取向硅钢快速二次再结晶的方法,其特征在于,按以下步骤进行:
(1)按设定成分冶炼钢水,其成分按重量百分比为:C≤0.003%,Si 2.0~4.5%,Mn0.1~0.25%,Al≤0.002%,S≤0.002%,N≤0.003%,余量为Fe;
(2)薄带连铸过程:将钢水通过浇口进入中间包,中间包预热温度1200~1250℃,控制钢水进入熔池时过热度为10~15℃,钢水通过中间包进入薄带连铸机后形成铸带,控制铸速50~70m/min,控制熔池液位高度150~180mm,控制铸带厚度1.0~2.0mm;铸带出辊后冷却采用氩气冷却,控制冷却速度50~70℃/s;
(3)将铸带去除氧化皮后在氩气氛中热处理,温度为1100~1200℃,保温时间为10~15h,气氛露点控制为10~20℃,促使{110}面晶粒异常长大,铸带热处理后{110}取向晶粒比例达到90%以上;
(4)经热处理后的酸洗铸带直接进行一阶段冷轧,冷轧压下量为70~80%;
(5)冷轧板在纯干氢条件下退火,气氛露点≤-30℃,直接升温至950~1085℃保温5~15min,完成二次再结晶过程,取向硅钢磁性能为:P17/50为0.95~1.4W/kg,轧向磁感B8为1.82T以上。
2.根据权利要求1所述的基于薄带连铸工艺的取向硅钢快速二次再结晶的方法,其特征在于,所述薄带连铸经过氩气氛条件高温保温,氩气体积纯度为99.9%。
3.根据权利要求1所述的基于薄带连铸工艺的取向硅钢快速二次再结晶的方法,其特征在于,所述的冷轧带和快速二次再结晶取向硅钢带的厚度在0.2~0.35mm。
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