[发明专利]一种无机混合卤素钙钛矿薄膜的制备方法及其在制备太阳能电池方面的应用有效
申请号: | 201710401820.5 | 申请日: | 2017-06-01 |
公开(公告)号: | CN107195789B | 公开(公告)日: | 2019-05-21 |
发明(设计)人: | 杨柏;曾庆森;冯唐略;崔健东;张皓 | 申请(专利权)人: | 吉林大学 |
主分类号: | H01L51/48 | 分类号: | H01L51/48;H01L51/42;B82Y30/00 |
代理公司: | 长春吉大专利代理有限责任公司 22201 | 代理人: | 刘世纯 |
地址: | 130012 吉*** | 国省代码: | 吉林;22 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 无机 混合 卤素 钙钛矿 薄膜 制备 方法 及其 太阳能电池 方面 应用 | ||
1.一种无机混合卤素钙钛矿薄膜的制备方法,其特征在于,具体步骤如下:
(1)、CsPbBrI2钙钛矿量子点的制备:
将0.5-2g碘化铅及0.4-1.6g溴化铅分别加入到25-100mL十八烷烯中,在110-122℃下抽真空除水1-2小时;然后分别加入到2.5-10mL的干燥的油胺和油酸混合液中,将反应温度升到160-185℃,注入4-16mL 0.0625M的油酸铯;冷却提纯,分散在甲苯中分别得到30-60mg/mL的CsPbI3及CsPbBr3的胶体溶液;然后将所制得的胶体溶液62-248mgCsPbI3和25-100mgCsPbBr3共同加入到含有5-20mL的十八烷烯和0.1-0.4mL的油酸以及0.1-0.4mL的油胺的混合液中,搅拌5-30min,提纯得到CsPbBrI2钙钛矿量子点;
(2)、二氧化钛溶胶的制备
向1-4mL钛酸正丁酯中加入2mL异丙醇,磁力搅拌5-30min至溶液均匀;再配制4mL异丙醇、100-250微升去离子水、5-30微升浓度为10-18mol/L的浓盐酸或浓硫酸的混合溶液,搅拌均匀后,逐滴加入到上述钛酸正丁酯溶液中,然后常温下搅拌0.5-24h,然后加入30-40mL的异丙醇稀释,即得到浓度为0.05-0.5mol/L的二氧化钛溶胶;
(3)、无机混合卤素钙钛矿薄膜的制备
以玻璃为基底,以位于玻璃基底上的ITO为阴极,在ITO表面旋涂一层20-100纳米的步骤(2)制备的二氧化钛溶胶,在150℃-500℃条件下加热0.5-2h将其转变为二氧化钛;再将步骤(1)制备的CsPbBrI2钙钛矿量子点旋涂在二氧化钛上,所得薄膜浸泡在含有饱和的醋酸铅的异丙醇或者异丙醇和乙酸甲酯的混合溶液中5-60s进行配体交换,除去量子点表面的长链配体油酸和油胺;重复旋涂量子点和除去油酸油胺配体这个过程2-8次获得100-400纳米的钙钛矿薄膜。
2.如权利要求1所述的一种无机混合卤素钙钛矿薄膜的制备方法制备得到的无机混合卤素钙钛矿薄膜在制备太阳能电池方面的应用。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
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