[发明专利]半导体芯片老化测试装置及方法有效

专利信息
申请号: 201710400323.3 申请日: 2017-05-31
公开(公告)号: CN107271879B 公开(公告)日: 2020-07-31
发明(设计)人: 曹巍;周柯;陈雷刚;高金德 申请(专利权)人: 上海华力微电子有限公司
主分类号: G01R31/28 分类号: G01R31/28
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人: 智云
地址: 201203 上海市*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 半导体 芯片 老化 测试 装置 方法
【权利要求书】:

1.一种半导体芯片老化测试装置,包括安装有待老化测试的半导体芯片的测试老化板,所述的测试老化板包括印刷电路板板体,所述的印刷电路板板体包括通过信号传输线电路连接的金手指和芯片插座,所述的芯片插座用于安装待老化测试的半导体芯片,其特征在于,还包括与所述的芯片插座电连接的控制电路,所述的控制电路包括多路复用器和多个高频晶体振荡器,每个高频晶体振荡器输出的频率信号不相同,所述的多路复用器具有多个信号输入端、一个信号控制端和一个信号输出端,所述的信号控制端用于选通连接其中一个信号输入端,使多路复用器的信号输出端输出该选通的信号输入端的信号,每个所述的信号输入端至多连接有一个高频晶体振荡器,当所述的多路复用器的信号输入端连接有高频晶体振荡器时,并且所述的信号控制端选通连接具有该高频晶体振荡器的信号输入端时,所述的多路复用器的信号输出端输出一定高频频率的测试信号并将该测试信号加载到所述的芯片插座,以消除采用高频信号源对装载于芯片插座内的半导体芯片阻抗不匹配以及信号传输线频率失真的现象,以对安装于所述的测试老化板的待老化测试的半导体芯片进行老化测试。

2.如权利要求1所述的半导体芯片老化测试装置,其特征在于,所述半导体芯片老化测试装置在退出半导体芯片的老化测试时,断开所述的测试老化板与测试信号的连接。

3.如权利要求1所述的半导体芯片老化测试装置,其特征在于,所述半导体芯片为闪存,该闪存的老化测试包括写入模式、读取模式和擦除模式的老化测试;

当所述的半导体芯片老化测试装置包括任意二种模式的老化测试时;所述的多路复用器为至少具有两个信号输入端的多路复用器,所述的多路复用器的两个信号输入端连接有不同频率的高频晶体振荡器;

当所述的半导体芯片老化测试装置包括三种模式的老化测试时;所述的多路复用器为至少具有三个信号输入端的多路复用器,所述的多路复用器的三个信号输入端连接有不同频率的高频晶体振荡器。

4.如权利要求1所述的半导体芯片老化测试装置,其特征在于,所述的芯片插座为一个或多个。

5.一种半导体芯片老化测试方法,其特征在于,采用如权利要求1-4任一项所述的半导体芯片老化测试装置,通过由多路复用器和多个高频晶体振荡器构成的控制电路对芯片插座内安装的待老化测试的半导体芯片施加频率信号,当所述的多路复用器的信号输入端连接有高频晶体振荡器时,并且所述的信号控制端选通连接具有该高频晶体振荡器的信号输入端时,所述的多路复用器的信号输出端输出一定高频频率的测试信号并将该测试信号加载到所述的芯片插座,以对安装于所述的测试老化板的待老化测试的半导体芯片进行老化测试。

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