[发明专利]三维存储器

权利要求书

1.一种垂直存储器，其包括：

存储器单元的堆叠，所述堆叠的单元包括：

控制栅极；

电荷存储结构；

势垒膜，其完全位于所述电荷存储结构与所述控制栅极之间；

第一电介质，其介于所述势垒膜与所述电荷存储结构之间，所述第一电介质进一步在所述电荷存储结构的上方和下方延伸；以及

第二电介质，其介于所述势垒膜与所述控制栅极之间，其中所述第一电介质和所述第二电介质共同围绕所述势垒膜。

2.根据权利要求1所述的存储器，其中所述势垒膜的平面侧中的每一部分以均匀的距离与所述电荷存储结构的平面侧间隔开，所述电荷存储结构的平面侧面向所述势垒膜的所述平面侧。

3.根据权利要求2所述的存储器，其中所述电荷存储结构的高度大于或等于所述势垒膜的所述平面侧的高度。

4.根据权利要求3所述的存储器，其中所述电荷存储结构的所述高度等于所述势垒膜的所述平面侧的高度。

5.根据权利要求1所述的存储器，其进一步包括邻近于所述电荷存储结构的支柱且其中第三电介质介于所述支柱与所述电荷存储结构之间。

6.根据权利要求5所述的存储器，其中所述支柱包括多晶硅，所述电荷存储结构包括多晶硅，所述第一电介质包括氧化物，且所述势垒膜包括氮化物。

7.根据权利要求1所述的存储器，其中所述存储器单元的堆叠包括存储器单元的NAND串。

8.根据权利要求1所述的存储器，其中所述电荷存储结构具有矩形垂直横截面。

9.根据权利要求1所述的存储器，其中所述电荷存储结构及所述势垒膜形成于邻近于所述控制栅极的控制栅极凹部中。

10.一种与垂直支柱相关的存储器单元的垂直堆叠，其中所述堆叠的单元包括：

电荷存储结构，其位于控制栅极层中且至少部分地围绕所述支柱的周围延伸，所述电荷存储结构具有最靠近所述支柱的第一垂直侧和与所述第一垂直侧相对的第二垂直侧；

第一电介质，其介于所述电荷存储结构和所述支柱之间；

势垒膜，其邻近于所述控制栅极层中的所述电荷存储结构，所述势垒膜包含面向所述电荷存储结构的所述第二垂直侧的第一垂直侧，所述势垒膜包含与所述第一垂直侧相对的第二垂直侧；

控制栅极，其在所述控制栅极层中且邻近所述电介质和所述势垒膜，所述控制栅极包括面向所述势垒膜的所述第二垂直侧的垂直侧，其中所述势垒膜完全位于所述控制栅极的所述垂直侧和所述电荷存储结构的所述第一垂直侧之间；

第二电介质，其介于所述势垒膜的所述第一垂直侧和所述电荷存储结构之间；以及

第三电介质，其介于所述势垒膜的所述第二垂直侧和所述控制栅极之间，其中所述第一电介质、所述第二电介质和所述第三电介质共同围绕所述电荷存储结构和所述势垒膜。

11.根据权利要求10所述的堆叠，其中所述电荷存储结构具有矩形垂直横截面。

12.根据权利要求10所述的堆叠，其中所述电荷存储结构具有矩形垂直横截面。

13.根据权利要求10所述的堆叠，其中所述控制栅极包括掺杂多晶硅。

14.根据权利要求10所述的堆叠，其中所述支柱包括多晶硅，所述电荷存储结构包括多晶硅，所述第二电介质包括氧化物，且所述势垒膜包括氮化物。

15.根据权利要求10所述的堆叠，其中所述堆叠包括存储器单元的NAND串。

16.根据权利要求10所述的堆叠，其中所述电荷存储结构的垂直尺寸大于或等于所述势垒膜的所述第二垂直侧的垂直尺寸。