[发明专利]对BJT电流镜的基极电流补偿

权利要求书

1.一种电流镜电路，包括：

输入电流引脚，所述输入电流引脚包括：

第一双极结型晶体管(BJT)，所述第一双极结型晶体管具有被配置成用于接收源自电流节点处的输入电流的集电极端子；以及

第一金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)，所述第一金属氧化物半导体场效应晶体管与所述第一BJT相邻并且具有耦合至所述电流节点的栅极端子以及耦合至所述第一BJT的基极端子的源极端子；以及

第一输出电流引脚，所述第一输出电流引脚包括：

第二BJT，所述第二BJT具有被配置成用于供应输出电流的集电极端子；以及

第二MOSFET，所述第二MOSFET与所述第二BJT相邻并且具有耦合至所述电流节点的栅极端子以及耦合至所述第二BJT的基极端子的源极端子，

其中所述第一MOSFET与所述第一BJT之间的距离小于所述第一BJT与所述第二BJT之间的距离，并且所述第二MOSFET与所述第二BJT之间的距离小于所述第一BJT与所述第二BJT之间的距离，

其中，所述第一BJT的所述基极端子以及所述第二BJT的所述基极端子通过具有寄生电阻的电路线来连接。

2.如权利要求1所述的电流镜电路，其中，所述第二BJT是由并联耦合的多个BJT器件形成的并且被一个或多个数字控制信号选择性地启用的可变BJT。

3.如权利要求2所述的电流镜电路，其中，所述第二MOSFET耦合至所述可变BJT的所述多个BJT器件中的每一个BJT器件。

4.如权利要求1所述的电流镜电路，所述电流镜电路进一步包括：第二输出电流引脚，所述第二输出电流引脚包括：

第三BJT，所述第三BJT具有被配置成用于供应进一步输出电流的集电极端子；以及

第三MOSFET，所述第三MOSFET具有耦合至所述电流节点的栅极端子以及耦合至所述第三BJT的基极端子的源极端子。

5.如权利要求4所述的电流镜电路，其中，所述第一和第二输出电流引脚在公共输出电流节点处连接在一起。

6.如权利要求5所述的电流镜电路，所述电流镜电路进一步包括：预充电电路，所述预充电电路被配置成用于将所述公共输出电流节点预充电至预充电电压。

7.如权利要求1所述的电流镜电路，所述电流镜电路进一步包括：第一开关，所述第一开关被配置成用于响应于第一控制信号而将所述第二MOSFET的所述栅极端子选择性地耦合至所述电流节点。

8.如权利要求7所述的电流镜电路，所述电流镜电路进一步包括：第二开关，所述第二开关被配置成用于响应于第二控制信号而将所述第二MOSFET的所述栅极端子选择性地耦合至所述第二MOSFET的所述源极端子。

9.如权利要求8所述的电流镜电路，其中，所述第一和第二控制信号不重叠。

10.如权利要求1所述的电流镜电路，其中，所述第一BJT的所述基极端子以及所述第二BJT的所述基极端子通过具有寄生电阻的电路线来连接，并且所述电流镜电路进一步包括：第三开关，所述第三开关被配置成用于响应于第三控制信号而将所述第二BJT的所述基极端子选择性地耦合至所述电路线。

11.如权利要求10所述的电流镜电路，所述电流镜电路进一步包括：第四开关，所述第四开关被配置成用于响应于第四控制信号而将所述第二BJT的所述基极端子选择性地耦合至所述第二BJT的发射极端子。

12.如权利要求11所述的电流镜电路，其中，所述第三控制信号和所述第四控制信号不重叠。