[发明专利]一种掩模板图案的测量方法

说明书

本发明的一种掩模板图案的测量方法，能精确检测掩模板上图案的变化，从而提高晶片上后续外延工艺的对准精度，方案是，掩模板上图案化部分划分为各个小区域，各个小区域之间在行与列方向上具有若干个掩膜标记，掩模板上图案化部分形状变化会带动掩膜标记尺寸的变化，光探测器能够精确检测掩膜标记尺寸变化。本发明利用光探测器能够精确检测掩膜标记尺寸变化，进而实现达到精确检测掩模板上图案的变化的效果，检测方法简单有效；掩模板通过刻蚀工艺在上述标记层上形成掩模标记或图案化工艺在晶片上的衬底中形成多个孔洞的方式形成掩模标记，从而提高光探测器对掩膜标记的更为精确的探测，具有很大的实用价值和推广价值。

技术领域

本发明涉及掩模板技术领域，特别是涉及一种掩模板图案的测量方法。

背景技术

掩模板的图案化部分分别具有透明和不透明的部分，然而集成电路中形成一层置于另一层的工艺精度受辐射曝光用的辐射束引起的掩模板的加热影响，具体地，在曝光过程中由于掩模板吸收辐射束发出光的能量而导致掩模板升温，其中掩模板的中央部分的温度大于其周边附近的温度，即导致掩模板热膨胀，该热膨胀则导致在晶片上掩模板图案的变化，由此需要对上述掩模板图案的变化进行测量，以此获得掩模板上图案的精确变化，进而提高晶片上后续外延工艺的对准精度。

所以本发明提供一种新的方案来解决此问题。

发明内容

针对上述情况，为克服现有技术之缺陷，本发明将掩模板上图案化部分划分为各个小区域，并对其掩膜标记，通过光探测器检测掩膜标记尺寸变化进而可以精确检测掩模板上图案的变化，从而提高晶片上后续外延工艺的对准精度。

其解决的技术方案是，掩模板上图案化部分划分为各个小区域，各个小区域之间在行与列方向上具有若干个掩膜标记，掩模板上图案化部分形状变化会带动掩膜标记尺寸的变化，光探测器能够精确检测掩膜标记尺寸变化，具体方法步骤如下：

1），将掩模板上图案化部分划分为各个小区域，各个小区域构成矩阵形式，在行与列方向上的相邻的小区域之间形成若干个掩膜标记a、b；

2），使用光探测器测量处于矩阵中偏中心位置小区域如标号1小区域的相邻两边处的掩模标记a的尺寸是否有变化，以及使用光探测器测量处于矩阵中偏边缘位置小区域如标号2小区域的相邻两边处的掩模标记b的尺寸是否有变化；

3），根据上述标记a、b的测量结果而判定掩模板热膨胀形式，进而调整控制器对上述掩模板上的图案进行修正以使得后续晶片上外延工艺各层之间的对准精度更高。

优选地，所述掩模板上图案化部分划分为各个小区域构成矩阵可以为3×3矩阵，亦可以设置为4×4、5×5、6×6……N×N矩阵，其中N≥3，测量标记a、b变化的精度更为精确；所述标记a、标记b的数量亦可以依据设备规格而设置数量，且数量越多越精确。

由于以上技术方案的采用，本发明与现有技术相比具有如下优点：

1），利用光探测器能够精确检测掩膜标记尺寸变化，进而实现达到精确检测掩模板上图案的变化的效果，检测方法简单有效；

2), 掩模板通过刻蚀工艺在上述标记层上形成掩模标记或图案化工艺在晶片上的衬底中形成多个孔洞的方式形成掩模标记，从而提高光探测器对掩膜标记的更为精确的探测，具有很大的实用价值和推广价值。

附图说明

图1为本发明一种掩模板图案的测量方法的区域划分示意图。

图2为本发明一种掩模板图案的测量方法的掩膜标记方式1图。

图3为本发明一种掩模板图案的测量方法的掩膜标记方式2图。

图4为本发明一种掩模板图案的测量方法的掩模板热膨胀倒漏斗形式图。

图5为本发明一种掩模板图案的测量方法的掩模板热膨胀倒梯形式图。