[发明专利]堆叠半导体器件和包括该堆叠半导体器件的系统有效
申请号: | 201710397707.4 | 申请日: | 2017-05-31 |
公开(公告)号: | CN107437541B | 公开(公告)日: | 2022-04-26 |
发明(设计)人: | 李海硕;吴凛;朴晋成;禹升汉 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L25/065 | 分类号: | H01L25/065 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 邵亚丽 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 堆叠 半导体器件 包括 系统 | ||
一种堆叠半导体器件包括沿竖直方向堆叠的多个半导体管芯、第一和第二信号路径、发射单元和接收单元。第一和第二信号路径电连接到多个半导体管芯,其中第一信号路径和第二信号路径中的每一个包括至少一个贯穿衬底通路。发射单元与发射信号的变换定时同步地产生第一驱动信号和第二驱动信号,以将第一驱动信号输出到第一信号路径并将第二驱动信号输出到第二信号路径。所述接收单元从第一信号路径接收对应于第一驱动信号的第一衰减信号,并从第二信号路径接收对应于第二驱动信号的第二衰减信号,以产生对应于发射信号的接收信号。
与相关申请的横向参考
这个美国非临时申请基于35USC§119要求2016年6月1日在韩国专利局(KIPO)提交的韩国专利申请第10-2016-0068220号的优先权,其公开内容通过引用整体结合于此。
技术领域
示例性实施方式总地涉及半导体集成电路。例如,至少一些示例性实施方式涉及堆叠半导体器件和/或包括堆叠半导体器件的系统。
背景技术
很多电路集成在有限区域内,用于高容量、微型化、高运算速度等。例如,主存储器的存储容量和速度根据硬件的增大的速度和软件的增大的复杂性而增加。多个半导体管芯可以堆叠在存储器芯片的封装内以利用相同面积增加存储容量。随着堆叠的半导体管芯的数量的增加,信号路径的负载增大。信号路径的增大的负载会降低堆叠半导体管芯之间或半导体管芯和外部装置之间传输信号的速度和/或可靠性。
发明内容
一些示例性实施方式可以提供能够在堆叠半导体管芯之间执行有效信号传输的堆叠半导体器件。
一些示例性实施方式可以提供包括堆叠半导体器件的系统,该系统能够在堆叠的半导体管芯之间执行有效信号传输。
根据示例性实施方式,堆叠半导体器件包括在竖直方向上堆叠的多个半导体管芯、第一信号路径、第二信号路径、发射单元和接收单元。第一信号路径和第二信号路径电连接到多个半导体管芯,其中,第一信号路径和第二信号路径中的每一个包括至少一个贯穿衬底通路(TSV)。发射单元与发射信号的转换定时同步地产生第一驱动信号和第二驱动信号,以将第一驱动信号输出到第一信号路径并将第二驱动信号输出到第二信号路径。接收单元从第一信号路径接收对应于第一驱动信号的第一衰减信号并从第二信号路径接收对应于第二驱动信号的第二衰减信号,以产生对应于发射信号的接收信号。
根据示例性实施方式,一种系统包括基底衬底、在竖直方向上堆叠在基底衬底上的多个半导体管芯、电连接多个半导体管芯上的第一信号路径和第二信号路径,第一信号路径和第二信号路径的每一个包括至少一个贯穿衬底通路(TSV)、被构造成与发射信号的转换定时同步地产生第一驱动信号和第二驱动信号以将第一驱动信号输出到第一信号路径并将第二信号输出到第二信号路径的发射单元;以及被构造成从第一信号路径接收对应于第一驱动信号的第一衰减信号并从第二信号路径接收对应于第二驱动信号的第二衰减信号以产生对应于发射信号的接收信号的接收单元。
根据示例性实施方式,堆叠半导体器件包括:第一半导体管芯,该第一半导体管芯包括第一收发器,该第一收发器被构造成将第一驱动信号和第二驱动信号分别传输到第一贯穿衬底通路(TSV)和第二贯穿衬底通路(TSV),所述第一驱动信号和第二驱动信号是基于发射信号的;以及第二半导体管芯,该第二半导体管芯通过所述第一TSV和第二TSV连接到所述第一半导体管芯,所述第二半导体管芯包括第二收发器,所述第二收发器被构造成分别通过第一TSV和第二TSV接收第一驱动信号和第二驱动信号的衰减版本,并基于所述第一驱动信号和第二驱动信号的衰减版本产生接收信号,使得接收信号的占空比与所述发射信号的占空比相同。
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