[发明专利]GPS和BDS用声表面波滤波器及其小型化封装工艺

权利要求书

1.GPS和BDS用声表面波滤波器的小型化封装工艺，其特征在于：

包括以下步骤：

第一步，植金球：在劈刀毛细管顶部打火熔球，再降低劈刀使所熔金球与芯片焊点接触；将芯片加热后，再加上压力和超声功率，使之变形并与芯片焊点键合在一起形成金凸点；再提升劈刀毛细管以在所熔金球的上方拉断金丝，仅在金凸点上端残留少量微丝；通过劈刀对金凸点向下施加压力，使金凸点的顶端变得平坦；

第二步，倒装贴片和超声波焊接：将第一步中植好金球的芯片切成若干的小芯片，再对这些小芯片进行倒装贴片及焊接，其中，这些被倒装贴片的小芯片被焊接在陶瓷底座上；

第三步，将镀有金锡层的帽盖盖在陶瓷底座上；

第四步，将镀有金锡层的帽盖与陶瓷底座融合在一起。

2.如权利要求1所述的小型化封装工艺，其特征在于：在第一步植金球的步骤中，将芯片加热到150摄氏度。

3.如权利要求1所述的小型化封装工艺，其特征在于：第二步的步骤中，具体地，是将小芯片送入倒装焊的全自动贴片机上，再对这些贴装好的小芯片进行超声波焊接。

4.如权利要求1所述的小型化封装工艺，其特征在于：所述陶瓷底座的尺寸为2.5mm*2mm*0.65mm；所述镀有金锡层的帽盖的长度为2.35mm，宽度为1.85mm，金锡层的厚度为0.26μm。

5.如权利要求1所述的小型化封装工艺，其特征在于：第四步的步骤中，具体地，是使用回流焊将帽盖与陶瓷底座整合在一起。

6.GPS和BDS用声表面波滤波器，其特征在于包括：

压电基片；

设置于压电基片上的输入换能器、输出换能器和频带控制换能器；

所述输入换能器由互相串联的第一换能器和第五换能器组成；

所述输出换能器由互相串联的第四换能器和第六换能器组成；

所述频带控制换能器包括第二换能器和第三换能器；

所述第五换能器与第六换能器串联；所述第二换能器一端连在第一换能器和第五换能器的连线上，另一端接地；所述第三换能器一端连在第四换能器和第六换能器的连线上，另一端接地。

所述第一换能器、第二换能器、第三换能器、第四换能器、第五换能器均为叉指换能器，其中，第一换能器和第四换能器的指对数均为75对，孔径AP＝18*λ₁，λ₁＝2.5μm；第五换能器和第六换能器的指对数均为52对，孔径AP＝18.5*λ₂，λ₂＝2.4μm；第二换能器和第三换能器的指对数均为280对，孔径AP＝17.1*λ₃，λ₃＝2.6μm。

7.如权利要求6所述的GPS和BDS用声表面波滤波器，其特征在于：

所述压电基片材料为钽酸锂LiTaO₃；

所述第一换能器、第二换能器、第三换能器、第四换能器、第五换能器和第六换能器均为叉指换能器，其中，第一换能器和第四换能器的指对数均为75对，孔径AP＝18*λ₁，λ₁＝2.5μm；第五换能器和第六换能器的指对数均为52对，孔径AP＝18.5*λ₂，λ₂＝2.4μm；第二换能器和第三换能器的指对数均为280对，孔径AP＝17.1*λ₃，λ₃＝2.6μm。

8.如权利要求6所述的GPS和BDS用声表面波滤波器，其特征在于：还包括设置于压电基片上的用于抗高压静电破坏的第一电阻和第二电阻；所述第一电阻并联在第一换能器两端，第二电阻并联在第五换能器两端。