[发明专利]半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质

说明书

本发明涉及半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质。提高形成于衬底上的氧化膜的膜品质。在同一处理室内进行如下工序：向设为第一温度的衬底供给包含规定元素的原料，从而在所述衬底上形成包含所述规定元素的膜的成膜工序；在包含第一含氧气体的气氛下，将所述衬底的温度变更为比所述第一温度高的第二温度的升温工序；和在包含第二含氧气体的气氛下，将所述衬底的温度维持为所述第二温度，从而将所述膜氧化的氧化工序。

技术领域

本发明涉及半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质。

背景技术

作为半导体器件的制造工序的一个工序，有时在衬底上进行形成包含硅(Si)等规定元素的氧化膜的成膜处理(例如，参见专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开平11-67747号公报

发明内容

发明所要解决的问题

本发明的目的在于提供一种能够使形成在衬底上的氧化膜的膜品质提高的技术。

用于解决问题的手段

根据本发明的一个方式，提供一种技术，其中，在同一处理室内进行如下工序：向设为第一温度的衬底供给包含规定元素的原料，从而在所述衬底上形成包含所述规定元素的膜的成膜工序；在包含第一含氧气体的气氛下，将所述衬底的温度变更为比所述第一温度高的第二温度的升温工序；和在包含第二含氧气体的气氛下，将所述衬底的温度维持为所述第二温度，从而将所述膜氧化的氧化工序。

发明效果

根据本发明，能够提高形成于衬底上的氧化膜的膜品质。

附图说明

图1：是本发明的一个实施方式中优选使用的衬底处理装置的立式处理炉的概略构成图，是以纵剖面图表示处理炉部分的图。

图2：是本发明的一个实施方式中优选使用的衬底处理装置的立式处理炉的概略构成图，是以图1的A-A线剖面图表示处理炉部分的图。

图3：是本发明的一实施方式中优选使用的衬底处理装置的控制器的概略构成图，是用框图来表示控制器的控制系统的图。

图4:是表示本发明的一个实施方式的成膜步骤的气体供给顺序的图。

图5：(a)是表示本发明的一个实施方式的衬底处理顺序的图，(b)及(c)各自分别是表示实施成膜步骤、升温步骤及氧化步骤后的晶片表面的剖面结构的图。

图6：(a)是表示Si膜中包含的Si迁移并聚集、从Si膜中脱离的情形的图，(b)是表示通过Si膜的表面被氧化而抑制了Si的聚集、脱离的情形的图。

图7：是表示SiO膜的表面粗糙度的评价结果的图。

图8：(a)及(b)分别是表示SiO膜的表面的AFM图像的图。

附图标记说明

200 晶片(衬底)

201 处理室

具体实施方式

本发明的一个实施方式

以下，针对本发明的一实施方式，使用图1～图3进行说明。

(1)衬底处理装置的构成

如图1所示，处理炉202具有作为加热机构(温度调节部)的加热器207。加热器207为圆筒形状，通过保持板支承而被垂直地安装。加热器207也作为通过热使气体活化(激发)的活化机构(激发部)发挥功能。