[发明专利]阵列基板、显示面板、显示装置及阵列基板的制备方法有效
申请号: | 201710392205.2 | 申请日: | 2017-05-27 |
公开(公告)号: | CN107170786B | 公开(公告)日: | 2019-12-27 |
发明(设计)人: | 高栋雨;邹建华;李洪濛;徐苗;王磊;陶洪;彭俊彪 | 申请(专利权)人: | 广州新视界光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 11332 北京品源专利代理有限公司 | 代理人: | 孟金喆 |
地址: | 510700 广东省广州市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 显示 面板 显示装置 制备 方法 | ||
1.一种阵列基板,其特征在于,包括:
衬底基板;
多个像素单元,位于所述衬底基板上,包括依次层叠的反射电极层、发白光的白光有机发光层和半透明电极层,所述半透明电极层远离所述衬底基板的一面为出光面;
每个所述像素单元至少包括红色子像素单元、绿色子像素单元和蓝色子像素单元,所述反射电极层包括位于所述红色子像素单元的第一反射电极,位于所述绿色子像素单元的第二反射电极,以及位于所述蓝色子像素单元的第三反射电极;
所述第一反射电极对红光波长具有第一反射相移,所述第二反射电极对绿光波长具有第二反射相移,所述第三反射电极对蓝光波长具有第三反射相移,且所述第一反射相移、所述第二反射相移和所述第三反射相移分别与对应出射光的波长满足法布里-珀罗Fabry-Perot谐振方程,以通过设置所述第一反射相移、所述第二反射相移和所述第三反射相移,使得所述红色子像素单元出射红光,所述绿色子像素单元出射绿光,所述蓝色子像素单元出射蓝光。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,反射相移与对应出射光的波长满足以下关系:
其中,θ表示反射电极对出射光的反射相移,no表示白光有机发光层的折射率,L表示白光有机发光层的厚度,λ表示出射光的波长。
3.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第一反射电极、所述第二反射电极和所述第三反射电极的材料不同。
4.根据权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,所述第一反射电极的材料在红光波长下的反射率大于所述第二反射电极的材料在红光波长下的反射率,所述第二反射电极的材料在绿光波长下的反射率大于所述第三反射电极的材料在绿光波长下的反射率。
5.根据权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,所述第一反射电极的材料包括Ag或Al;
所述第二反射电极的材料包括Mo或Ti;
所述第三反射电极的材料包括TiN。
6.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第一反射电极、所述第二反射电极和所述第三反射电极的材料相同,厚度不同。
7.根据权利要求6所述的阵列基板,其特征在于,所述第一反射电极、所述第二反射电极和所述第三反射电极的材料为Al/TiN的双层材料堆叠结构;
所述第一反射电极、所述第二反射电极和所述第三反射电极中Al的厚度为180nm;
所述第一反射电极表面的TiN的厚度为10nm;
所述第二反射电极表面的TiN的的厚度为30nm;
所述第三反射电极表面的TiN的的厚度为60nm。
8.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第一反射电极、所述第二反射电极和所述第三反射电极中,至少一种反射电极包括金属层和有机层的第一叠层结构,或不同金属材料的组合金属层。
9.根据权利要求8所述的阵列基板,其特征在于,所述第一叠层结构包括Al/Alq3/Al、Ag/MoO3/Ag、Ag/ITO/Ag、Ag/IZO/Ag、Mo/IZO/Mo或Mo/ITO/Mo。
10.根据权利要求9所述的阵列基板,其特征在于,所述第一叠层结构中最上层金属层的厚度为1-50nm。
11.根据权利要求10所述的阵列基板,其特征在于,所述第一叠层结构中最上层金属层的透射率大于10%。
12.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述白光有机发光层包括红色有机发光层、绿色有机发光层和蓝色有机发光层的第二叠层结构,或蓝色有机发光层和黄色有机发光层的第三叠层结构。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的