[发明专利]一种制备纳米线编织球状硒化锑钠离子电池负极材料的方法有效

专利信息
申请号: 201710391694.X 申请日: 2017-05-27
公开(公告)号: CN107055489B 公开(公告)日: 2019-03-01
发明(设计)人: 曹丽云;郭玲;李嘉胤;黄剑锋;吴建鹏;程娅伊;齐慧;弓琴琴 申请(专利权)人: 陕西科技大学
主分类号: C01B19/04 分类号: C01B19/04;H01M4/58;H01M10/054
代理公司: 西安通大专利代理有限责任公司 61200 代理人: 安彦彦
地址: 710021 *** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 一种 制备 纳米 编织 球状 硒化锑 钠离子 电池 负极 材料 方法
【说明书】:

一种制备纳米线编织球状硒化锑钠离子电池负极材料的方法,将聚乙烯吡咯烷酮和酒石酸锑钾加入乙二醇与蒸馏水的混合液中,搅拌,得到溶液A;将亚硒酸钠加入水合肼中,搅拌,得到酒红色溶液B;将溶液B在搅拌条件下逐滴加入到溶液A中,得到混合液C;向混合液C中加入甘油,搅拌均匀后隔绝空气并在80℃~150℃的温度下反应陈化1h~18h,反应结束后冷却至室温;最后,洗涤,干燥,得到纳米线编织球状硒化锑钠离子电池负极材料。本发明制备纳米线编织球状Sb2Se3的反应过程在液相中一次完成,工艺设备简单,重复性好,且制备的Sb2Se3电极材料具有优异的电化学性能。

技术领域

本发明涉及一种纳米线编织球状Sb2Se3的制备,具体涉及一种制备纳米线编织球状硒化锑钠离子电池负极材料的方法。

背景技术

Sb2Se3是具有典型层状结构的简单二元化合物,直接带隙P型半导体,能带间隙为1.2eV。具有光敏性、光电导性和热电效应等物理性能,被广泛地应用于太阳能电池、光催化和光电转化等领域。

目前,所报道制备Sb2Se3纳米材料的主要方法有溶剂热、水热、固相反应等。Rencheng Jin等采用溶剂热制备出蠕虫状Sb2Se3纳米材料,具有较高的储氢容量(228.5mAhg-1)和良好的循环性能。(Jin R,Chen G,Pei J,et al.Controllable synthesis andelectrochemical hydrogen storage properties of Sb2Se3ultralong nanobelts withurchin-like structures.[J].Nanoscale,2011,3(9):3893)。Chen G等人采用三苯基锑为锑源,二苄基硒为硒源,油胺为溶剂,溶剂热与固相反应相结合制备出的Sb2Se3纳米线具有良好的光热转换性能。(Chen G,Zhou J,Zuo J,et al.Organometallically AnisotropicGrowth of Ultra-Long Sb2Se3Nanowires with Highly Enhanced PhotothermalResponse.[J].Acs Applied Materials&Interfaces,2016)。Zhang Y等以乙醇为溶剂采用溶剂热制备出球形的Sb2Se3纳米材料(Zhang Y,Li G,Zhang B,et al.Synthesis andcharacterization of hollow Sb2Se3nanospheres[J].Materials Letters,2004,58(17):2279-2282.)。Wenxi Zhao等采用水热法,制备的纳米线状Sb2Se3与氮掺杂氧化石墨烯复合材料表现出较高的容量。(Zhao W,Li C M.Mesh-structured N-doped graphene@Sb2Se3hybrids as an anode for large capacity sodium-ion batteries.[J].Journalof Colloid&Interface Science,2016,488:356-364)。但是对于其他方法制备Sb2Se3纳米材料的相关报道比较少。

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