[发明专利]一种避免光刻胶沾污的二维材料器件制造方法

权利要求书

1.一种避免光刻胶沾污的二维材料器件制造方法，其特征在于，包括：

步骤一、提供衬底，在所述衬底上制备二维材料层；

步骤二、在所述二维材料层上沉积栅介质层；

步骤三、对所述栅介质层和所述二维材料层进行有源区图形化刻蚀；

步骤四、对源漏接触区的栅介质层进行腐蚀以暴露出二维材料层，并在暴露的所述二维材料层上沉积源漏电极金属；

步骤五、在沟道区的所述栅介质层上沉积栅电极金属。

2.根据权利要求1所述的二维材料器件制造方法，其特征在于，所述步骤一中二维材料层通过机械剥离或化学气相沉积进行制备。

3.根据权利要求1所述的二维材料器件制造方法，其特征在于，所述栅介质层为氧化铝、氧化锆、氧化铪或氧化钇。

4.根据权利要求3所述的二维材料器件制造方法，其特征在于，所述步骤二通过原子层沉积技术沉积金属氧化物层或者沉积活泼金属随后进行氧化处理形成所述栅介质层。

5.根据权利要求4所述的二维材料器件制造方法，其特征在于，所述步骤二通过在原子层沉积腔体中使用O₃和/或H₂O以及三甲基铝作为源形成氧化铝栅介质层。

6.根据权利要求4所述的二维材料器件制造方法，其特征在于，所述步骤二通过在原子层沉积腔体中使用H₂O以及Hf(NMe₂)₄作为源形成氧化铪栅介质层。

7.根据权利要求4所述的二维材料器件制造方法，其特征在于，所述步骤二通过电子束蒸发Al或Y并氧化处理形成氧化铝或氧化钇栅介质层。

8.根据权利要求7所述的二维材料器件制造方法，其特征在于，所述步骤二的所述氧化处理包括加热氧化、氧等离子体氧化、氧紫外线氧化和/或臭氧源氧化。

9.根据权利要求1所述的二维材料器件制造方法，其特征在于，所述步骤三通过光刻胶进行有源区图形化并进行对所述栅介质层和所述二维材料层进行刻蚀。

10.根据权利要求9所述的二维材料器件制造方法，其特征在于，所述光刻胶包括正胶9912、翻转胶AZ5214、电子束胶PMMA、MMA、UVIII或ZEP胶。

11.根据权利要求9所述的二维材料器件制造方法，其特征在于，所述刻蚀包括使用H₂SO₄，H₃PO₄，HCl或HNO₃与H₂O混合形成的稀释液，或者使用AZ显影液或CD26对所述栅介质进行刻蚀。

12.根据权利要求9所述的二维材料器件 制造方法，其特征在于，所述刻蚀包括使用RIE，ICP或Matrix产生的等离子体器件对所述二维材料层进行刻蚀。

13.根据权利要求1所述的二维材料器件制造方法，其特征在于，通过光刻剥离工艺沉积所述源漏电极金属和/或所述栅电极金属。

14.根据权利要求1所述的二维材料器件制造方法，其特征在于，所述源漏电极金属及所述栅电极金属的材料为Ti、Au、Cr、Pd或Pt。