[发明专利]一种新型FET管及由新型FET管组成的分布式放大器有效
| 申请号： | 201710390533.9 | 申请日： | 2017-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN107171649B | 公开（公告）日： | 2020-07-31 |
| 发明（设计）人： | 李启良;范国清;尹桂晖;刘金现;朱伟峰;姜万顺 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十一研究所 |
| 主分类号： | H03F3/60 | 分类号： | H03F3/60;H03F1/02;H03F1/18;H01L27/105 |
| 代理公司： | 北京天奇智新知识产权代理有限公司 11340 | 代理人： | 陈永宁 |
| 地址： | 266000 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 新型 fet 组成 分布式 放大器 | ||
【权利要求书】：
1.一种新型FET管，其特征在于：包括U形设计的第一管体和设置在所述第一管体U形开口中间的第二管体，所述第二管体的左右两侧分别与所述第一管体的U形的两支臂连接，第二管体的上下两端分别设置有漏极接口和栅极接口，所述第一管体的底部下端设置有源极接口；所述第二管体与所述第一管体的U形支臂之间通过PN结形式连接，通过控制所述栅极接口的电压值，控制所述漏极接口与所述源极接口之间的导通或关闭。
2.一种分布式放大器，其由权利要求1中的一种新型FET管组成，其特征在于：包括依次连接的射频信号输入端、多个第一级FET管、多个第二级FET管和射频信号输出端，所述射频信号输入端和射频信号输出端分别连接有由电阻和电容组成的匹配电路作为负载匹配；所述第一级FET管为共源极的第一级FET管，所述第二级FET管采用新型FET管，射频信号输入端连接所述第一级FET管的栅极，第一级FET管的漏极连接第二级FET管的源极，第二级FET管的漏极连接射频信号输出端。
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