[发明专利]一种核壳结构氧化亚铜纳米pn同质结材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201710390307.0 | 申请日： | 2017-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN107227476B | 公开（公告）日： | 2019-03-01 |
| 发明（设计）人： | 朱丽萍;王怡尘 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | C25D9/04 | 分类号： | C25D9/04;B82Y40/00;B82Y30/00;C25B1/04;C25B11/06;B01J23/72 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 万尾甜;韩介梅 |
| 地址： | 310058 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 结构 氧化亚铜 纳米 pn 同质 材料 及其 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种核壳结构p-Cu2O/n-Cu2O纳米同质结材料的制备方法，其特征在于，该材料以p-Cu2O纳米棒为核，在其外包覆有n-Cu2O层，p-Cu2O纳米棒与n-Cu2O形成p-n同质结，所述的p-Cu2O纳米棒的直径为100nm~200nm，所述的n-Cu2O层厚度为50~100nm，其制备方法包括如下步骤：
1) 衬底预处理：将铜片表面剥光处理，清洗并吹干；
2) p-Cu2O纳米棒阵列制备：配置2M~10M NaOH溶液，将该NaOH溶液倒入电解池中，以所述铜片衬底为工作电极，组成标准三电极体系；在常温下，以20mA~50mA恒电流进行电沉积，得到Cu(OH)2纳米棒阵列前驱体；将Cu(OH)2纳米棒阵列前驱体置于惰性保护气中，升温至500℃，进行退火处理，得到p-Cu2O纳米棒阵列；
3) n-Cu2O包覆层制备：将Cu(CH3COO)2，CH3COOH和KCl混合，加入去离子水配置成溶液，用NaOH溶液调整pH至4.2~5.3；将上述制得的p-Cu2O纳米棒阵列作为工作电极，建立一个三电极体系，保持50℃恒温，外加+0.02V或-0.2~-0.5V恒电压沉积，沉积后清洗并干燥，获得核壳结构p-Cu2O/n-Cu2O纳米同质结材料。
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