[发明专利]一种MicroLED显示器件的制备方法在审
| 申请号： | 201710389639.7 | 申请日： | 2017-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN107170876A | 公开（公告）日： | 2017-09-15 |
| 发明（设计）人： | 孙小卫;王恺;刘召军;王立铎;郝俊杰;刘皓宸 | 申请（专利权）人： | 南方科技大学 |
| 主分类号： | H01L33/50 | 分类号： | H01L33/50;H01L27/15 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司44205 | 代理人： | 唐致明 |
| 地址： | 518055 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 microled 显示 器件 制备 方法 | ||
1.一种Micro LED显示器件的制备方法，包括在基板上制备多个Micro LED芯片的步骤，其特征在于，还包括以下步骤：
(1)制备转印模板，所述转印模板具有与所述Micro LED芯片中的部分或全部Micro LED芯片一一对应的凸起或凹陷图案；
(2)在所述凸起或所述凹陷图案上涂覆量子点材料；
(3)将所述凸起或凹陷图案与所述Micro LED芯片对准接触，将所述量子点材料转移至所述Micro LED芯片的上表面。
2.根据权利要求1所述的Micro LED显示器件的制备方法，其特征在于，步骤(3)中所述的转移过程为通过压印将所述量子点材料转移至所述Micro LED芯片的上表面。
3.根据权利要求1所述的Micro LED显示器件的制备方法，其特征在于，所述转印模板为软模板。
4.根据权利要求1所述的Micro LED显示器件的制备方法，其特征在于，所述转印模板具有与Micro LED芯片中的全部Micro LED芯片一一对应的凹陷图案，所述转印模板由高透光率材料制成。
5.根据权利要求1所述的Micro LED显示器件的制备方法，其特征在于，还包括步骤(4)：移除所述转印模板。
6.根据权利要求1-5任一项所述的Micro LED显示器件的制备方法，其特征在于，步骤(1)中是采用光刻技术、纳米球刻蚀或纳米压印技术制备所述转印模板。
7.根据权利要求1-5任一项所述的Micro LED显示器件的制备方法，其特征在于，量子点材料为量子点溶液、量子点粉末或量子点-聚合物粉末。
8.根据权利要求1-5任一项所述的Micro LED显示器件的制备方法，其特征在于，步骤(2)中所述涂覆是采用喷墨打印、浸蘸、涂布、旋涂、覆膜或激光打印实现的。
9.根据权利要求1-5任一项所述的Micro LED显示器件的制备方法，其特征在于，所述转印模板的凸起或凹陷的长、宽略大于Micro LED芯片的长、宽。
10.根据权利要求1-5任一项所述的Micro LED显示器件的制备方法，其特征在于，所述凸起图案的横截面为倒梯形。
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