[发明专利]一种高灵活度的熔丝修调电路及其使用方法

说明书

【技术领域】

本发明涉及半导体集成电路技术领域，尤其涉及基于电流熔断的熔丝修调电路。

【背景技术】

随着高速、低功耗信号处理技术的发展，对半导体集成电路的精度要求越来越严格，但半导体芯片在生产制造过程中存在种种非理想因素，使得半导体芯片的许多性能参数，尤其是精度参数很难满足高速高精度信号处理的要求。因此，对流片后的芯片进行修调处理，使其精度提高、参数分布更为集中，成了一种既有效又经济的性能优化手段。

修调单元可以是多次可编程器件如EEPROM、也可以是一次性编程器件如金属或多晶熔丝；前者可以无限次地改写，应用灵活，但对流片工艺要求高，占用芯片面积大，成本也较高；后者只能编程一次，只能将状态从导通变为断开，灵活性差，但成本低，因此，在半导体集成电路上得到了广泛的应用。

中国专利申请CN 201610505352.1公开了一种超低功耗数模混合集成熔丝修调电路及熔丝修调方法，其第一反相器(INV1)的输入端接第二MOS管(M2)的栅极，第一反相器(INV1)的输出端接第二反相器(INV2)的输入端和第三MOS管(M3)的栅极；第二反相器(INV2)的输入端还与第三MOS管(M3)的栅极连接，输出端接第一MOS管(M1)的栅极；第一MOS管(M1)的源极接电源电压(VDD)，漏极分别接第二MOS管(M2)的漏极、第三MOS管(M3)的漏极以及熔丝(FUSE)的第一端；第二MOS管(M2)源极接第三反相器(INV3)的输入端和第四反相器(INV4)的输出端以及第三MOS管(M3)的源极；第三MOS管(M3)源极接第三反相器(INV3)的输入端和第四反相器(INV4)的输出端以及第二MOS管(M2)的源极；第三反相器(INV3)的输入端接第二MOS管(M2)和第三MOS管(M3)的源极以及第四反相器(INV4)的输出端，输出端接第四MOS管(M4)的栅极和第四反相器(INV4)的输入端；第四反相器(INV4)的输入端接第四MOS管(M4)的栅极和第三反相器(INV3)的输出端，输出端接第二MOS管(M2)和第三MOS管(M3)的源极以及第三反相器(INV3)的输入端；第四MOS管(M4)的栅极接第三反相器(INV3)的输出端和第四反相器(INV4)的输入端，源极接电阻(R)的一端，漏极接电阻(R)的另一端；熔丝(FUSE)的第二端接公共地(GND)。该技术方案利用四个反相器、四个MOS管和熔丝组成修调电路实现熔丝修调功能。然而，该发明只涉及了熔丝状态检测和输出驱动，未涉及且无法实现熔丝烧录。

中国发明专利申请CN 201310567758.9也公开了一种熔丝修调电路，其包括开关控制模块、修调值载入模块、熔丝熔断控制模块以及修调模块，所述修调模块包括PMOS管、第一电阻、熔丝、NMOS管、第二电阻以及D触发器，其中：所述PMOS管的源极与稳压电源连接，所述PMOS管的栅极与所述开关控制模块连接，所述PMOS管的漏极与所述第一电阻的一端连接，所述第一电阻的另一端与所述熔丝的一端连接，所述熔丝的另一端与所述NMOS管的源极连接，所述NMOS管的栅极与所述熔丝熔断控制模块连接，所述NMOS管的漏极接地，所述第二电阻的一端与所述NMOS管的源极连接，所述第二电阻的另一端接地，所述D触发器的CP端口与所述修调值载入模块连接，D端口与所述NMOS管的源极连接；在所述开关控制模块输出第一控制信号控制所述PMOS管的源极与漏极连接时：所述熔丝熔断控制模块输出第二控制信号控制所述PMOS管的源极与漏极连接。然而，该发明在对熔丝进行熔断时，熔断电流要通过一个PMOS开关管、一个NMOS开关管外加一个电阻，熔丝熔断所需电流一般超过100mA，因此上述两个MOS管尺寸要求较大，占用面积较多。另外，该发明熔丝只能烧录一次，没有反悔的机会，因而存在灵活性不足的缺陷。

可以看出，现有技术最大的缺陷是电流熔断熔丝修调电路只能编程一次，均存在容错率低、灵活性差的缺陷。

【发明内容】

本发明的目的在于克服现有技术缺陷，提供一种高灵活度的、能够多次编程的熔丝修调电路，使熔丝修调电路更精确、更易用。

为了实现上述目的，本发明提供一种高灵活度的熔丝修调电路，所述熔丝修调电路包括修调控制电路、熔丝控制电路、电流熔断熔丝和输出驱动器，所述熔丝修调电路还包括SRAM静态存储单元；

所述修调控制电路由与非门和反相器构成，所述修调控制电路具有两个输出端；