[发明专利]TOC型OLED显示器的制作方法及TOC型OLED显示器在审
| 申请号: | 201710389002.8 | 申请日: | 2017-05-25 | 
| 公开(公告)号: | CN107221552A | 公开(公告)日: | 2017-09-29 | 
| 发明(设计)人: | 刘方梅;周星宇 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 | 
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 | 
| 代理公司: | 深圳市德力知识产权代理事务所44265 | 代理人: | 林才桂 | 
| 地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 | 
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 | 
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | toc oled 显示器 制作方法 | ||
1.一种TOC型OLED显示器的制作方法,其特征在于,包括以下步骤:
步骤S1、提供衬底基板(1),对衬底基板(1)进行清洗和预烘烤;
步骤S2、沉积黑色遮光薄膜,对黑色遮光薄膜进行图案化处理,形成黑色矩阵(2);
步骤S3、在所述黑色矩阵(2)内依次沉积不同颜色的色阻,形成彩色滤光层(3);
步骤S4、在所述彩色滤光层(3)上沉积形成平坦层(4);
步骤S5、在所述平坦层(4)上沉积第一金属层,对第一金属层进行图案化处理,形成栅极(5);
步骤S6、在所述栅极(5)与平坦层(4)上沉积覆盖栅极绝缘层(6);
步骤S7、配置掺杂有锂的氧化锌溶液,将配置好的掺杂有锂的氧化锌溶液旋涂在栅极绝缘层(6)上形成掺杂有锂的氧化锌涂层,然后对掺杂有锂的氧化锌涂层做退火处理,再对掺杂有锂的氧化锌涂层进行图案化处理,形成沟道层(7);
步骤S8、沉积刻蚀阻挡层(8),并对刻蚀阻挡层(8)进行图案化处理,形成分别暴露出沟道层(7)两侧的第一过孔(81)、与第二过孔(82);
步骤S9、在所述刻蚀阻挡层(8)上沉积第二金属层,并对第二金属层进行图案化处理,形成源极(91)、与漏极(92);所述源极(91)、漏极(92)分别经由第一过孔(81)、第二过孔(82)接触沟道层(7)的两侧;
步骤S10、在所述刻蚀阻挡层(8)、源极(91)、及漏极(92)上依次制作出保护层(10)、阳极(11)、像素定义层(12)、OLED发光层(13)、及阴极(14)。
2.如权利要求1所述的TOC型OLED显示器的制作方法,其特征在于,所述步骤S1中,所述衬底基板(1)为玻璃基板。
3.如权利要求1所述的TOC型OLED显示器的制作方法,其特征在于,所述步骤S3中,所述不同颜色的色阻包括红色色阻(R)、绿色色阻(G)、及蓝色色阻(B)。
4.如权利要求1所述的TOC型OLED显示器的制作方法,其特征在于,所述平坦层(4)、栅极绝缘层(6)、刻蚀阻挡层(8)、与保护层(10)的材料均为氧化硅、氮化硅、或二者的组合。
5.如权利要求1所述的TOC型OLED显示器的制作方法,其特征在于,所述第一金属层与第二金属层的材料均为钼、钛、铝、铜中的一种或几种的堆栈组合。
6.如权利要求1所述的TOC型OLED显示器的制作方法,其特征在于,所述步骤S7中,以氢氧化锂与氢氧化锌为原料来配置掺杂有锂的氧化锌溶液。
7.如权利要求1所述的TOC型OLED显示器的制作方法,其特征在于,所述阳极(11)的材料为氧化铟锡。
8.一种TOC型OLED显示器,其特征在于,通过如权利要求1~7任一项所述的TOC型OLED显示器的制作方法制得,其内的沟道层(7)的材料为掺杂有锂的氧化锌。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市华星光电技术有限公司,未经深圳市华星光电技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710389002.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种三维逆向定制化股骨颈骨折手术导航器
 - 下一篇:一种自动生产富氢水的装置
 
- 同类专利
 
- 专利分类
 
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





