[发明专利]阵列基板、异形显示器及显示装置有效
申请号: | 201710388859.8 | 申请日: | 2017-05-25 |
公开(公告)号: | CN107221536B | 公开(公告)日: | 2019-12-13 |
发明(设计)人: | 席克瑞;周一安;许文钦 | 申请(专利权)人: | 上海天马微电子有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12 |
代理公司: | 11291 北京同达信恒知识产权代理有限公司 | 代理人: | 黄志华 |
地址: | 201201 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 异形 显示器 显示装置 | ||
本发明公开了一种阵列基板、异形显示器及显示装置,涉及显示技术领域,该阵列基板显示区设置有多条长度不相同的栅线,非显示区设置有与部分栅线一一对应的电容补偿结构;电容补偿结构包括位于衬底基板上的第一电极、第二电极和第三电极,第一电极与第二电极构成第一电容,第二电极与第三电极构成第二电容,电容补偿结构的耦合电容值与其所对应的栅线的长度负相关。本发明所提供的技术方案通过在阵列基板的非显示区设置电容补偿结构,且该电容补偿结构的耦合电容值与其所对应的栅线的长度负相关,对显示区中不同长度的栅线的耦合电容的差异进行了补偿,提高了显示画面的品质。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,更为具体的说,涉及一种阵列基板、异形显示器及显示装置。
背景技术
随着显示器技术的飞速发展,显示器除了传统的信息展示等作用外,为了更好的适应环境的整体结构和使用要求,在外形上的要求也在逐步提升,随之产生了异形显示器。
异形显示器是在传统显示器的基础上改造成的特殊形状的显示器,以使显示器的特点能更好的适应建筑物的整体结构和环境。目前常见的异形屏主要有扇形、弧形、圆形、圆柱形、三角形等结构形式。
但是在异形显示器中,由于显示区中栅线的长度不一致,导致不同长度的栅线连接的像素的数量不相等,从而使得不同长度的栅线的电容负载存在差异,而电容的负载差异会造成显示器像素充电情况、像素电压耦合电压降(feedthrough)等不一致从而影响显示。
发明内容
有鉴于此,本发明实施例提供了一种阵列基板、异形显示器及显示装置,用于提高显示画面的品质。
本发明实施例提供的一种阵列基板,包括衬底基板,所述衬底基板包括显示区和围绕所述显示区的非显示区,所述显示区设置有多条长度不相同的栅线,所述非显示区设置有与部分所述栅线一一对应的电容补偿结构;
所述电容补偿结构包括位于所述衬底基板上的第一电极、第二电极和第三电极,所述第一电极与所述第二电极构成第一电容,所述第二电极与所述第三电极构成第二电容,所述电容补偿结构的耦合电容值与其所对应的所述栅线的长度负相关;
所述第一电极与所述第三电极的电位相同,且所述第一电极不与所述第三电极电连接,所述第二电极与所述电容补偿结构所对应的所述栅线电连接;或者,
所述第一电极与所述第三电极电连接,所述第一电极或所述第二电极或所述第三电极与所述电容补偿结构所对应的所述栅线电连接。
相应地,本发明实施例还提供了一种异形显示器,包括本发明实施例提供的上述任一种阵列基板。
相应地,本发明实施例还提供了一种显示装置,包括本发明实施例提供的上述任异形显示器。
本发明有益效果如下:
本发明实施例提供的上述阵列基板、异形显示器及显示装置,显示区设置有多条长度不相同的栅线,由于非显示区设置有与部分栅线一一对应的电容补偿结构;电容补偿结构的耦合电容值与其所对应的栅线的长度负相关;这是由于栅线的长度越长,栅线上连接的像素的数量越多,栅线的电容负载越大,因此对长度较长的栅线设置耦合电容值较小的电容补偿结构,对长度较短的栅线设置耦合电容值较大的电容补偿结构,利用电容补偿结构之间的耦合电容值差异来补偿栅线的电容负载的差异,从而使每一条栅线对应的耦合电容值与负载电容值两者的和是一致的,进而使显示中像素充电情况、像素电压耦合电压降(feedthrough)等一致从而提高显示品质。并且由于电容补偿结构包括由第一电极与第二电极构成第一电容和由第二电极与第三电极构成第二电容,即电容补偿结构中有两个电容,可以增大电容补偿结构的电容值,并且两个电容共用一个电极,不仅结构简单,而且可以减少工艺步骤。
附图说明
图1a为本发明实施例提供的一种阵列基板的结构示意图;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的