[发明专利]自适应温度和存储器参数抑制

说明书

本发明涉及自适应温度和存储器参数抑制。一种具有存储器的存储设备可以修改抑制以减少交叉温度影响。对抑制的决定可以基于存储器设备的温度(即温度抑制)或者可以基于存储器设备的健康状况、使用率或性能(例如热计数或误码率)。可以考虑存储器设备的健康状况、使用率或性能(例如热计数或误码率)来实施温度抑制。同样，基于存储器设备的健康状况、使用或性能的抑制可以利用存储器设备的温度来优化抑制时间。例如，可修改测试模式矩阵(TMM)以取决于温度。

技术领域

本申请总体涉及温度对存储器设备的影响。更具体地，本申请涉及基于存储器设备的使用率、健康状况或使用年限来调整温度抑制(throttling)并基于温度调整存储器参数。

背景技术

诸如闪存之类的非易失性存储器系统已被广泛地用于消费产品中。闪存可以以不同的形式找到，例如以便携式存储卡的形式，其可以在主机设备之间携带或作为嵌入在主机设备中的固态盘(“SSD”)。这种存储器的耐久性和可靠性的一个考虑因素是交叉温度(cross temperature)。交叉温度(即X温度)可以是数据编程和读取之间的温度范围或温度波动。例如，当在高温(热)时将数据写入存储器设备，但是然后在低温(冷)下读取时，可能会引起高X温度。同样地，在冷温下写入并且在高温下读取是高的交叉温度。对于存储器设备(例如NAND闪存)，X温度可以是限制的可靠性机制。高X温度可导致错误。具体地，X温度误码率(BER)随着较大的X温度增量增加。通过解决X温度可以提高存储器耐久性和性能。

发明内容

一种具有存储器的存储设备可以修改抑制以降低交叉温度影响。对抑制的决定可以基于存储器设备温度(即温度抑制)或者可以基于存储器设备的健康状况、使用率或性能(例如热计数或误码率)。可以考虑存储器设备的健康状况、使用率或性能(例如热计数或误码率)来实施温度抑制。同样，基于存储器设备的健康状况、使用率或性能的抑制可以利用存储器设备的温度来优化抑制时间。例如，测试模式矩阵(TMM)可以被修改为取决于温度。

附图说明

图1A是示例非易失性存储器系统的框图。

图1B是包括多个非易失性存储器系统的存储模块的框图。

图1C是分级存储系统的框图。

图2A是非易失性存储器系统的控制器的示例性部件的框图。

图2B是非易失性存储器存储系统的非易失性存储器的示例性部件的框图。

图3是闪存设备控制器的框图。

图4是示出示例性交叉温度(X温度)情况的图表。

图5是用于基于存储器的健康状况/使用率和温度来修改抑制的流程图。

图6是用于基于温度来修改测试模式矩阵(TMM)的流程图。

图7是取决于存储器健康状况/使用率的温度抑制阈值的流程图。

图8是示出示例性抑制参数的图。

图9是示例性三维(3D)存储器结构的图示。

图10是存储器块的示例性物理存储器组织。

具体实施方式

可存在导致必须进行抑制的客户要求。在使用寿命开始时(“BOL”)，设备可能会有变化，并且抑制可用于消除性能差异。同样，可以存在也能够通过抑制解决的对服务质量的客户要求。抑制也可用于控制带宽。高温环境中的热生成速率也可通过抑制来解决。温度抑制可基于温度检测(例如热环境)发生以防止过热。该抑制可以被称为热抑制，其包括用于控制热生成的抑制。相反，功率抑制可以指控制功率。