[发明专利]一种显示面板及显示装置有效
申请号: | 201710388186.6 | 申请日: | 2017-05-27 |
公开(公告)号: | CN107230698B | 公开(公告)日: | 2019-09-03 |
发明(设计)人: | 曾洋;张卿;王丽花;谢亮;杜凌霄;丁洪;柴慧平;杨康;姚绮君 | 申请(专利权)人: | 上海天马微电子有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 孟金喆 |
地址: | 201201 上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 角度限定 指纹识别 指纹识别单元 显示面板 模组 反射 有机发光显示面板 显示装置 触摸 入射角 透过率 有机发光结构 阵列基板 串扰 制作 | ||
1.一种显示面板,所述显示面板包括显示模组和指纹识别模组,所述显示模组包括阵列基板,以及位于所述阵列基板上的多个有机发光结构,所述指纹识别模组包括第一基板,以及位于所述第一基板上的至少一个指纹识别单元,用于根据经由触摸主体反射到所述指纹识别单元的光线进行指纹识别,其特征在在于,所述显示面板还包括:
角度限定膜;
所述指纹识别模组位于所述阵列基板远离所述有机发光结构一侧的显示区内;
所述角度限定膜位于所述显示模组与所述指纹识别模组之间,所述角度限定膜对经由触摸主体反射到所述指纹识别单元的光线中,相对于所述角度限定膜的入射角小于所述角度限定膜的透过角的光线的透过率为A1;所述角度限定膜对经由触摸主体反射到所述指纹识别单元的光线中,相对于所述角度限定膜的入射角大于所述角度限定膜的透过角的光线的透过率为A2;A1>A2>0;
其中,所述角度限定膜对垂直于所述角度限定膜入射的光线的透过率为A;所述角度限定膜的所述透过角是指透过率为kA的光线相对于所述角度限定膜的入射角;0<k<1。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,k=0.1。
3.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,A1>1.5A2。
4.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述有机发光结构为所述指纹识别模组提供光源,所述指纹识别单元用于根据所述有机发光结构发出的光线经由所述触摸主体反射到所述指纹识别单元以进行指纹识别。
5.根据权利要求4所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板包括出光侧和非出光侧;所述出光侧为所述有机发光结构远离所述阵列基板一侧,所述非出光侧为所述阵列基板远离所述有机发光结构一侧;所述显示面板在所述出光侧和所述非出光侧的亮度比值大于10:1。
6.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述指纹识别模组还包括指纹识别光源,所述指纹识别光源位于所述第一基板远离所述指纹识别单元的一侧;所述指纹识别单元用于根据所述指纹识别光源发出的光线经由所述触摸主体反射到所述指纹识别单元以进行指纹识别。
7.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述角度限定膜包括多个平行于所述第一基板所在平面,沿同一方向间隔排列的透光区域和部分透光区域,所述部分透光区域设置有吸光材料,所述透光区域对光线的透过率大于所述部分透光区域对光线的透过率。
8.根据权利要求7所述的显示面板,其特征在于,所述角度限定膜的所述透过角满足如下公式:
其中,θ为所述角度限定膜的所述透过角,t为所述透光区域沿所述透光区域的排列方向的宽度,h为所述角度限定膜的厚度。
9.根据权利要求8所述的显示面板,其特征在于,所述角度限定膜的扩散距离满足如下公式:
其中,ΔX为所述角度限定膜的扩散距离,H为所述显示模组的厚度;所述角度限定膜的所述扩散距离是指同一个所述指纹识别单元对应的实际检测光线与干扰检测光线在触摸主体上的反射点之间的距离;
相对于所述指纹识别单元的入射角最小的反射光线为实际检测光线,相对于所述指纹识别单元的入射角,大于所述实际检测光线相对于所述指纹识别单元入射角的反射光线为干扰检测光线。
10.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述角度限定膜包括多孔结构,所述多孔结构的侧壁用于吸收部分入射到所述侧壁上的光线。
11.根据权利要求10所述的显示面板,其特征在于,所述角度限定膜的透过角满足如下公式:
其中,θ为所述角度限定膜的透过角,d为所述多孔结构的直径,h为所述角度限定膜的厚度。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的