[发明专利]一种太赫兹可变衰减器

说明书

本发明提供一种太赫兹可变衰减器，由数片基于砷化镓材料的薄片排列而成，薄片的数量可以根据需要增加或者减少。太赫兹光源发出的太赫兹光经过砷化镓材料的薄片可以衰减并到太赫兹探测器中，太赫兹探测器可以计算的太赫兹功率。每片砷化镓材料薄片作为衰减片都很薄并且厚度相同，这样就可以保证每片薄片作为衰减片对太赫兹波的衰减量是相同的，并且多片砷化镓材料的薄片作为衰减片不会产生法布里‑玻罗效应，影响最后的太赫兹衰减量。带有凹槽的底座可以使太赫兹波按相同的方向经过砷化镓材料的薄片作为衰减片，从而保证最后的衰减量是每片衰减量的和。采用上述方案，方法设计的太赫兹可变衰减器，使用方便，对放置角度要求低，精度高。

技术领域

本发明涉及太赫兹可变衰减器技术领域，尤其涉及的是一种太赫兹可变衰减器。

背景技术

太赫兹波是指光波频率在0.1～10THz的范围内，真空中的相应波长为(3000～30)μm，它是位于红外与微波之间的一个波段，通常也叫THz波。

近几年来，随着人们对太赫兹波的产生和探测技术研究的日渐深入，太赫兹波在物质特性分析、成像、探测、遥感和国防上面的作用日益凸显出来，由此引起了一场世界范围内的针对太赫兹波的研究热潮。目前对太赫兹波的衰减一般是通过一片硅片的衰减来进行的，但是由于一片硅片的衰减量是固定的，因此不能很好的满足用户想要输出额定太赫兹波功率的要求。

当用多片硅片对太赫兹波进行衰减时，由于相邻两片硅片会产生法布里-玻罗效应，导致衰减量与预期的衰减量不同。因为硅片表面都是很光滑的，所以当太赫兹波入射后，会有部分光透过，部分光反射回去，反射回去的光到另一个硅平面，又反射回来，从而形成法布里-玻罗效应，大大影响太赫兹光的定量衰减。如图1所示。

现有的太赫兹衰减片存在以下不足：

(1)现有的太赫兹衰减片都是硅片，单片只有固定的衰减量，对太赫兹波的功率衰减只有一个定值，难以达到理想的太赫兹功率；

(2)现有的多硅片可调太赫兹衰减器，由于硅片之间存在法布里-玻罗效应，导致多片硅衰减片的衰减量是不可控的；

(3)由于硅衰减片有一定的厚度，当角度稍微有所不同的时候，硅衰减片对太赫兹波的衰减量也有所不同；

(4)平滑表面的硅片加工难度极高，而且需要加工数片，对加工工艺的要求就更高了。

因此，现有技术存在缺陷，需要改进。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是针对现有技术的不足，提供一种太赫兹可变衰减器。

本发明的技术方案如下：

一种太赫兹可变衰减器，包括数片基于砷化镓材料的薄片排列而成，太赫兹光源发出的太赫兹光经过砷化镓材料的薄片衰减并到太赫兹探测器中，太赫兹探测器用于计算的太赫兹功率；带有凹槽的底座用于放置使太赫兹波按相同的方向经过所述薄片。

上述方案中，所述薄片的数量根据需要增加或者减少。

上述方案中，所述薄片1作为衰减片都很薄并且厚度相同。，从而保证最后的衰减量是每片衰减量的和。

上述方案中，所述薄片的厚度小于1mm，最佳为0.7mm。

上述方案中，所述底座放置薄片的槽需要相互平行。

上述方案中，所述薄片根据需要增加或者减少。

采用上述方案，方法设计的太赫兹可变衰减器，使用方便，对放置角度要求低，精度高。

附图说明

图1为现有技术中多硅片之间形成的法布里-玻罗效应示意图。

图2为本发明太赫兹可变衰减器的结构示意图。