[发明专利]一种显示面板及显示装置有效
| 申请号: | 201710385962.7 | 申请日: | 2017-05-26 |
| 公开(公告)号: | CN107221535B | 公开(公告)日: | 2021-01-22 |
| 发明(设计)人: | 樊浩原 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77 |
| 代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 郭润湘 |
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 显示 面板 显示装置 | ||
本申请提供了一种显示面板及显示装置,用以防止因信号引出线末端腐蚀而造成的显示面板显示不良,本申请提供的一种显示面板,包括:基板,设置于所述基板上的至少一根信号引出线,所述信号引出线一端裸露,且所述信号引出线上设置有断开,该断开通过重掺杂的多晶硅连接。
技术领域
本申请涉及显示技术领域,特别是涉及一种显示面板及显示装置。
背景技术
在显示面板的生产过程中,通常会设置测试线路与显示面板电路连接以对显示面板进行检测,在显示面板测试结束后,需将测试线路切掉,这时连接测试线路的信号引出线的残留部分的末端就会在断面处裸露出来,而裸露的信号引出线容易受到腐蚀,而且腐蚀会沿着信号引出线向内延伸,直至绑定区域,甚至显示区域,造成显示面板工作信号的传输中断,从而导致显示面板显示异常。例如,如图1所示,切掉测试线路后,显示面板包括:基板01,设置于基板01上的至少一根信号引出线02,信号引出线02一端裸露(如图1中虚线框所示),信号引出线02上设有绝缘层03,绝缘层03上设有绑定PAD04,绑定PAD04通过绝缘层03上的过孔05连接信号引出线02;在信号引出线02受到腐蚀后,其结构示意图如图2所示。
此外,有些显示面板上设置有用于连接显示面板的信号线的信号引出线,该信号引出线末端也是裸露的,因此也容易受到腐蚀,造成显示面板工作信号的传输中断,从而导致显示面板显示异常。例如,如图3所示,显示面板包括:基板01,设置于基板01上的至少一根信号引出线02,信号引出线02一端裸露(如图3中虚线框所示),信号引出线02上设有绝缘层03,每一根信号引出线02连接一根信号线06,信号引出线02与信号线06同层设置。
基于此,如何防止因信号引出线末端腐蚀而造成的显示面板显示不良,是本领域技术人员亟待解决的技术问题。
发明内容
本申请实施例提供了一种显示面板及显示装置,用以防止因信号引出线末端腐蚀而造成的显示面板显示不良。
本申请实施例提供的一种显示面板,包括:基板,设置于所述基板上的至少一根信号引出线,所述信号引出线一端裸露,且所述信号引出线上设置有断开,该断开通过重掺杂的多晶硅连接。
本申请实施例提供的显示面板,包括:基板,设置于所述基板上的至少一根信号引出线,所述信号引出线一端裸露,且所述信号引出线上设置有断开,该断开通过重掺杂的多晶硅连接,由于信号引出线上设置有断开,该断开通过重掺杂的多晶硅连接,而由于重掺杂的多晶硅具有非常好的导电性能,故能保证信号引出线断开的两部分导通,同时,由于重掺杂的多晶硅是半导体,对腐蚀有非常好的隔绝效果,故能有效防止腐蚀向信号引出线的无裸露部分延伸,因此腐蚀就不会造成显示面板工作信号的传输中断,从而防止了因信号引出线末端腐蚀而造成的显示面板显示不良。
较佳地,所述重掺杂的多晶硅设于所述基板与所述信号引出线之间。
较佳地,所述重掺杂的多晶硅设于所述信号引出线的上方。
较佳地,所述重掺杂的多晶硅与所述信号引出线同层设置。
较佳地,所述重掺杂的多晶硅与所述信号引出线之间还设有第一绝缘层,所述信号引出线断开的两部分分别通过所述第一绝缘层上的第一过孔连接所述重掺杂的多晶硅。
通过在重掺杂的多晶硅与信号引出线之间设置第一绝缘层,以便于与显示面板显示区的膜层同时制作,从而可以简化制作工艺。
较佳地,所述基板与所述重掺杂的多晶硅之间还设有缓冲层。
通过在重掺杂的多晶硅单元与基板之间设置缓冲层,可以隔绝基板上残留的重金属离子污染重掺杂的多晶硅。
较佳地,所述信号引出线上设有第二绝缘层,所述第二绝缘层上设有绑定PAD,所述绑定PAD通过所述第二绝缘层上的第二过孔连接所述信号引出线的无裸露部分。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





