[发明专利]薄膜晶体管测试元件组、测试方法及阵列基板有效
| 申请号： | 201710385385.1 | 申请日： | 2017-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN107121628B | 公开（公告）日： | 2019-11-05 |
| 发明（设计）人： | 马彬;崔子巍;尹岩岩;田鹏程;李鑫 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 赵天月 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 测试 元件 方法 阵列 | ||
1.一种薄膜晶体管测试元件组，其特征在于，包括：
衬底；
薄膜晶体管，所述薄膜晶体管设置在所述衬底上，所述薄膜晶体管包括有源层、源极、漏极以及栅极；
遮光层，所述遮光层设置在所述有源层远离所述衬底的一侧，所述遮光层与所述有源层对应设置；
第一电极层，所述第一电极层与所述漏极相连；以及
第二电极层，所述第二电极层绝缘设置在所述第一电极层远离所述衬底的一侧，所述第二电极与所述漏极以及所述源极的至少之一相连，以及
第一电阻，所述第一电阻设置在所述漏极以及所述第二电极层之间。
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管测试元件组，其特征在于，进一步包括：第二电阻，所述第二电阻设置在所述源极以及所述第二电极层之间。
3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管测试元件组，其特征在于，所述衬底为阵列基板衬底。
4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管测试元件组，其特征在于，所述薄膜晶体管进一步包括：
绝缘层，所述绝缘层设置在所述源极、所述漏极以及所述第一电极层远离所述衬底的一侧，所述遮光层是由添加有黑色染料的所述绝缘层构成的。
5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管测试元件组，其特征在于，所述遮光层是由黑色树脂形成的。
6.一种阵列基板，其特征在于，包括权利要求1-5任一项所述的薄膜晶体管测试元件组。
7.一种薄膜晶体管测试元件组测试方法，其特征在于，所述薄膜晶体管测试元件组包括：薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括有源层、源极、漏极以及栅极；遮光层，所述遮光层设置在所述有源层远离所述衬底的一侧，所述遮光层与所述有源层对应设置；第一电极层，所述第一电极层与所述漏极相连；以及第二电极层，所述第二电极层绝缘设置在所述第一电极层远离所述衬底的一侧，所述第二电极与所述漏极相连，
所述方法包括：分别在所述源极、所述漏极以及所述栅极上施加电压，并检测所述漏极的电流，
在所述第二电极层以及所述漏极之间设置第一电阻，以便所述第二电极层上的分压，能够模拟阵列基板上公共电极的电压。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，进一步包括：
在所述第二电极层以及所述源极之间设置第二电阻，以便所述第二电极层上的分压，能够模拟阵列基板上公共电极的电压。
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