[发明专利]透明导电基底、其制作方法与太阳能电池在审
| 申请号: | 201710384989.4 | 申请日: | 2017-05-26 |
| 公开(公告)号: | CN107359212A | 公开(公告)日: | 2017-11-17 |
| 发明(设计)人: | 赵志国;秦校军;王一丹;邬俊波 | 申请(专利权)人: | 中国华能集团清洁能源技术研究院有限公司;中国华能集团公司 |
| 主分类号: | H01L31/0236 | 分类号: | H01L31/0236;H01L31/0224;H01L31/18 |
| 代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司11240 | 代理人: | 韩建伟,张永明 |
| 地址: | 102209 北京市昌平区北七*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 透明 导电 基底 制作方法 太阳能电池 | ||
1.一种透明导电基底的制作方法,其特征在于,所述制作方法包括:
在透明基材中形成具有凹槽的第一表面;以及
在所述凹槽中填充导电材料,在所述凹槽中形成导电部,所述导电部的远离所述凹槽的底部的表面与所述第一表面的未形成所述凹槽的部分表面在同一个平面上。
2.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于,在所述凹槽中填充导电材料,形成导电部的过程包括:
在所述透明基材的具有所述凹槽的第一表面上设置导电材料;以及
采用平坦化工艺去除所述凹槽两侧的所述第一表面所在平面上的所述导电材料,以在所述凹槽中形成所述导电部。
3.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于,采用激光刻蚀法或湿法刻蚀法形成所述凹槽。
4.根据权利要求2所述的制作方法,其特征在于,所述平坦化工艺包括激光刻蚀和/或化学刻蚀。
5.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于,所述透明基材为玻璃基材,优选所述导电材料为SnO2、ITO或FTO。
6.一种透明导电基底,其特征在于,所述透明导电基底包括:
透明基材(1),包括具有凹槽(2)的第一表面;以及
导电部(3),设置在所述凹槽(2)中,且所述导电部(3)的远离所述凹槽(2)的底部的表面与所述第一表面的除所述凹槽(2)之外的表面在同一个平面上。
7.根据权利要求6所述的透明导电基底,其特征在于,所述透明基材(1)为玻璃基材。
8.根据权利要求6所述的透明导电基底,其特征在于,所述导电部(3)为SnO2导电部、ITO导电部或FTO导电部。
9.根据权利要求6所述的透明导电基底,其特征在于,所述透明基材(1)的厚度在1~3mm之间,优选所述导电部(3)的厚度在50~1000nm之间。
10.一种太阳能电池,包括透明导电基底,其特征在于,所述透明导电基底为权利要求6至9中的任一项所述的透明导电基底。
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