[发明专利]用于中子线产生装置的靶材及中子捕获治疗系统

权利要求书

1.一种用于中子线产生装置的靶材，其特征在于，所述靶材包括作用层和基座层，所述作用层能够与入射粒子线作用产生所述中子线，所述基座层既能抑制由入射粒子线引起的发泡又能支撑所述作用层，所述基座层的材料为Ta-W合金。

2.如权利要求1所述的用于中子线产生装置的靶材，其特征在于，所述入射粒子线为质子线；所述作用层的材料为Li或其合金，所述作用层与所述质子线发生⁷Li(p,n)⁷Be核反应来产生中子；或所述作用层的材料为Be或其合金，所述作用层与所述质子线发生⁹Be(p,n)⁹B核反应来产生中子。

3.如权利要求1所述的用于中子线产生装置的靶材，其特征在于，所述Ta-W合金中W的质量百分比为2.5％-20％。

4.如权利要求2所述的用于中子线产生装置的靶材，其特征在于，所述质子线的能量为1.881MeV-10MeV，所述基座层的厚度至少为50μm。

5.如权利要求1所述的用于中子线产生装置的靶材，其特征在于，所述靶材还包括抗氧化层，所述抗氧化层的材料包括Al、Ti、Be及其合金或者不锈钢中的至少一种，所述作用层与基座层通过浇注、蒸镀或溅射工艺连接，所述抗氧化层通过HIP处理将基座层封闭形成一个容腔和/或将作用层包围。

6.如权利要求1所述的用于中子线产生装置的靶材，其特征在于，所述作用层和基座层之间设置附着层，所述附着层的材料包括Cu、Al、Mg或Zn中的至少一种。

7.如权利要求1所述的用于中子线产生装置的靶材，其特征在于，所述靶材还包括散热层，所述散热层包括冷却通道。

8.如权利要求7所述的用于中子线产生装置的靶材，其特征在于，所述散热层由导热材料或既能导热又能抑制发泡的材料制成，既能导热又能抑制发泡的材料包括Fe、Ta或V中的至少一种，导热材料包括Cu、Fe、Al中的至少一种，所述散热层和所述基座层通过HIP工艺连接。

9.如权利要求7所述的用于中子线产生装置的靶材，其特征在于，所述散热层和基座层至少部分为相同的材料或是一体的。

10.一种中子捕获治疗系统，包括中子产生装置和射束整形体，所述中子产生装置包括加速器和靶材，所述加速器加速产生的带电粒子线与所述靶材作用产生中子线，所述射束整形体包括反射体、缓速体、热中子吸收体、辐射屏蔽体和射束出口，所述缓速体将自所述靶材产生的中子减速至超热中子能区，所述反射体包围所述缓速体并将偏离的中子导回至所述缓速体以提高超热中子射束强度，所述热中子吸收体用于吸收热中子以避免治疗时与浅层正常组织造成过多剂量，所述辐射屏蔽体围绕所述射束出口设置在所述反射体后部用于屏蔽渗漏的中子和光子以减少非照射区的正常组织剂量，其特征在于，所述靶材如上述权利要求之一所述。