[发明专利]用于处理基板的装置和方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种用于处理基板的装置和方法。

背景技术

近来，随着半导体器件(例如半导体晶片、光掩模和LCD)的表面结构已经变得高度集成化，在这些器件中使用的图案已被进一步精细化。为了形成这种图案，必然需要蚀刻工艺，并且还需要用于除去残留污染物的清洗工艺。

图1是示出将一般有机化学溶液供给到在其上形成有具有高纵横比(HAR)图案的基板的横截面图。参考图1，当将在其上形成有具有高纵横比的图案(包括凹部1)的基板2设置为待清洗对象时，通常使用有机化学溶液3进行清洗。此时，当使用一般的有机化学溶液3作为清洗溶液时，由于有机化学溶液3的表面张力和滞留在凹部1中的气体的压力，有机化学溶液3不能而完全渗透到凹部1中，从而不能除去凹部1中的异物。

发明内容

本发明的实施方式提供了一种基板处理装置和方法，其可以清洗在其上表面上形成有具有高纵横比图案的基板的凹部中的异物。

本发明构思的目的不限于上述描述。本领域技术人员从下面的描述中可以理解本发明构思的其它目的。

本发明构思的实施方式提供了一种用于处理基板的方法，其将具有薄膜的基板上的凹部内的颗粒除去，其中在所述薄膜上形成有在其上表面上具有所述凹部的图案。用于基板处理的方法包括：渗透步骤，用于将含有超临界有机化学溶液的处理液渗透到凹部中；和加热步骤，用于在渗透步骤之后加热基板。

渗透步骤可以在高压室中进行，并且加热步骤可以在真空烘焙室中进行。

图案可以包括具有凹部的氮化钛(TiN)电容器。

有机化学溶液可以是异丙醇(IPA)。

在加热步骤中，将基板加热至200℃以上。

此外，本发明构思的实施方式提供了一种基板处理装置，其将具有薄膜的基板上的凹部内的颗粒除去，其中在所述薄膜上形成有在其上表面上具有所述凹部的图案，所述基板处理装置包括：高压室，在其中进行渗透工序以将含有超临界状态的有机化学液体的处理液渗透到凹部中；真空烘焙室，在其中进行用于加热基板的工序；和传送单元，用于在高压室和真空烘焙室之间传送基板。

基板处理装置还包括控制器，用于控制高压室、真空烘焙室和传送单元，其中控制器控制传送单元以将已完成在高压室中的工序的基板从高压室传送到真空烘焙室。

图案可以包括具有凹部的氮化钛(TiN)电容器。

有机化学溶液可以是异丙醇(IPA)。

在真空烘焙室中将基板加热至200℃以上。

根据实施方式的方法和装置可以清洗具有高纵横比图案的基板的凹部中的异物。

附图说明

图1是示出将一般有机化学溶液供给到在其上形成有具有高纵横比(HAR)图案的基板的横截面图。

图2是示意性地示出根据本发明的实施方式的基板处理装置的平面图。

图3是示出在其上形成有高纵横比图案的基板的示例的立体图。

图4是示出图2的高压室的横截面图。

图5是示出图2的真空烘焙室的横截面图。

图6是示出本发明的实施方式的基板处理方法的流程图。

图7是示出在进行根据本发明的实施方式的基板处理方法之前的基板状态的横截面图。

图8至图10示出在根据本发明的实施方式的基板处理方法的各步骤中的基板状态。

图11是示出在其上形成有高纵横比图案的基板的另一示例的横截面图。

具体实施方式

将在下文中参考附图更全面地描述各个示例性实施方式，在附图中示出了一些示例性实施方式。然而，本发明可以以不同的形式实施，并且不应被解释为限于本文所阐述的实施方式。而是，提供这些实施方式，使得本公开将是彻底和完整的，并且将向本领域技术人员充分地传达本发明的范围。因此，夸大了附图的特征以强调确切的解释。

图2是示意性地示出根据本发明的实施方式的基板处理装置10的平面图。图3是示出在其上形成有高纵横比图案的基板100的示例的立体图。参考图2和图3，基板处理装置10供给处理液以清洗基板100。基板100可以设置为具有薄膜的基板100，在薄膜上形成有高纵横比图案。根据实施方式，在基板100上形成的图案可以包括具有凹部110的氮化钛(TiN)电容器120。TiN电容器120从基板100的上表面沿向上方向延伸，并且具有圆柱形，该圆柱形的纵向为竖直方向。在基板100上设置有多个TiN电容器120。