[发明专利]基于纳米沟道的凹槽栅增强型GaN晶体管器件有效
| 申请号： | 201710380274.1 | 申请日： | 2017-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN106981514B | 公开（公告）日： | 2023-07-18 |
| 发明（设计）人： | 周幸叶;冯志红;吕元杰;谭鑫;王元刚;宋旭波;徐鹏 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/20;H01L29/423;H01L29/06 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 夏素霞 |
| 地址： | 050051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 纳米 沟道 凹槽 增强 gan 晶体管 器件 | ||
【说明书】：
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