[发明专利]一种Nand Flash数据校验的方法与装置

说明书

本发明实施例公开了一种Nand Flash数据校验的方法与装置，通过读取第一数据页中的校验码，利用该校验码对目标数据页中的ECC码进行校验，以此来提升ECC码的正确性，其中，目标数据页与所述第一数据页页数相同，所述目标数据页所属的存储块与所述第一数据页所属的存储块为两个不相邻的距离较远的存储块，可以有效降低过度编程和读操作干扰带来的位反转的风险。利用校验后的ECC码对所述目标数据页中的数据进行校验，由于提升了ECC码的准确性，利用该ECC码对数据进行校验的准确性会更高，从而可以有效降低Nand Flash位反转现象的风险。

技术领域

本发明涉及数据处理技术领域，特别是涉及一种Nand Flash数据校验的方法与装置。

背景技术

Nand Flash由于本身硬件的内在特性，会导致偶尔出现位反转的现象。所谓的位反转，指的是原先Nand Flash中的某个位发生了变化，即要么从1变成0了，要么从0变成1了。Nand Flash的位反转现象，主要是由以下一些原因/效应所导致：1、漂移效应，漂移效应指的是Nand Flash中cell的电压值慢慢地变了，变的和原始值不一样了。2、编程干扰所产生的错误，此现象有时候也叫做过度编程效应。对于某个页面的编程操作，即写操作，引起非相关的其他的页面的某个位跳变了。3、读操作干扰产生的错误(Read-Disturb Errors)，此效应是对一个页进行数据读取操作，却使得对应的某个位的数据，产生了永久性的变化，即Nand Flash上的该位的值变了。

如果恰巧是某个重要文件的某位变化了，往往会导致非常严重的后果。传统方式中，一般采用ECC校验算法来解决Nand Flash出现位反转的问题。但是，存储于spare area的ECC码本身也会存在位反转的风险。在Nand Flash的应用中，如果恰巧是某个重要配置文件的某一位发生了位反转，并且ECC码也发生了位反转，那么利用该ECC码对Nand Flash的数据进行校验，可能会导致非常严重的后果。此外，在Nand Flash中存储的冷数据由于电荷漂移效应产生位反转的风险更大。

可见，如何降低Nand Flash位反转现象的风险，是本领域技术人员亟待解决的问题。

发明内容

本发明实施例的目的是提供一种Nand Flash数据校验的方法与装置，可以有效降低Nand Flash位反转现象的风险。

为解决上述技术问题，本发明实施例提供一种Nand Flash数据校验的方法，包括：

读取第一数据页中的校验码；其中，所述第一数据页为第一存储块中的任意一页；

利用所述校验码对目标数据页中的ECC码进行校验；所述目标数据页与所述第一数据页页数相同，所述目标数据页所属的存储块与所述第一存储块不相邻；

利用校验后的ECC码对所述目标数据页中的数据进行校验。

可选的，还包括：

检测Nand Flash中数据的使用频率；

将使用频率低于预设阈值的数据作为待处理数据；

当到达预设时间后，对所述待处理数据进行Copy-Back处理。

可选的，所述对所述待处理数据进行Copy-Back处理包括：

判断所述待处理数据所属的存储块中是否存在空闲数据页；

若存在，则将所述数据Copy-Back至所述空闲数据页。

可选的，所述对所述待处理数据进行Copy-Back处理包括：

将所述待处理数据从其所在的数据页读取到页寄存器，

将所述页寄存器中的所述待处理数据写入到所述数据页。