[发明专利]使用压印技术来控制磁化状态的方法

说明书

本发明涉及一种使用压印技术来控制磁化状态的方法。所述方法可以包括：使具有不同磁化状态的第一磁性结构和第二磁性结构朝向彼此移动；和当第一磁性结构和第二磁性结构之间的距离减小时，改变第一磁性结构或第二磁性结构的磁化状态。当第一磁性结构或第二磁性结构的磁化状态改变时，可以使用由第一磁性结构和第二磁性结构中的一个的磁化状态产生的磁场来使另一个磁性结构的磁化状态对齐。所述方法不需要进行包括图案化、蚀刻、填充和平坦化步骤的复杂的制造过程。通过使用所述方法，可以稳定地处理大容量的数据。

技术领域

本公开涉及一种控制磁化状态的方法，特别涉及一种使用压印技术来控制磁化状态的简单方法。

背景技术

近年来，由于信息产业的快速发展，所以对存储容量大于常规磁性存储介质的存储容量的磁性存储介质具有持续需求。因此，表现出导电性或基于磁阻的磁性的精细图案可以用于磁阻膜和磁性存储介质，并且在这种情况下，可以降低装置的电阻并可以增大从磁阻型磁头输出的再现信号的强度。

在这种磁性存储介质中，应当减小单位单元的尺寸或单位单元之间的距离以增大在给定空间中存储的数据量。然而，根据现有技术，难以减小这种尺寸或距离。另外，当超过一定限度时，变得难以稳定地存储数据。

此外，为了实现具有大容量、稳定的写入和良好的数据保持特性的磁性存储介质，可以使基板上的磁性层图案化成包括多个磁性图案的图案化介质的形式，该磁性图案彼此物理地隔开特定距离或间距，并且每个磁性图案都用于存储作为最小数据单元的1位。然而，为了在基板上形成图案化介质，需要进行包括掩模图案形成步骤、蚀刻步骤、填充步骤等的复杂制造过程，并且该复杂的制造过程导致缺陷数量增多。此外，在其中对磁性层进行蚀刻和填充步骤的情况下，磁性层可能具有不平坦的表面，从而可能进一步需要平坦化处理。这可能进一步增大制造过程的复杂性。

发明内容

本发明构思的一些实施方案提供了一种使用压印技术来控制磁性层的磁化状态的方法，而不需要进行包括图案化、蚀刻、填充和平坦化步骤的复杂的制造过程。通过使用所述方法，可以稳定地处理大容量的数据。然而，本发明构思的范围不限于此。

根据本发明构思的一些实施方案，可以提供一种使用压印技术来控制磁化状态的方法。所述方法可以包括：使具有不同磁化状态的第一磁性结构和第二磁性结构朝向彼此移动；和当第一磁性结构和第二磁性结构之间的距离减小时，改变第一磁性结构或第二磁性结构的磁化状态。当第一磁性结构或第二磁性结构的磁化状态改变时，可以使用由第一磁性结构和第二磁性结构中的一个的磁化状态产生的磁场来使另一个磁性结构的磁化状态对齐。

在一些实施方案中，使第一磁性结构和第二磁性结构朝向彼此移动可以包括使第一磁性结构和第二磁性结构移动以彼此间隔开接近原子大小的距离或使其彼此重叠。

在一些实施方案中，当第一磁性结构具有比第二磁性结构的矫顽力相对更强的矫顽力时，第二磁性结构的磁化状态可以由第一磁性结构改变。

在一些实施方案中，当第二磁性结构具有比第一磁性结构的矫顽力相对更强的矫顽力时，第一磁性结构的磁化状态可以由第二磁性结构改变。

在一些实施方案中，当第一磁性结构或第二磁性结构具有图案化形状时，第一磁性结构或第二磁性结构在其中第一磁性结构和第二磁性结构彼此相邻或重叠的部分的磁化状态可以改变。

在一些实施方案中，所述方法还可以包括：当第一磁性结构或第二磁性结构的磁化状态的改变完成时，使第一磁性结构和第二磁性结构移动以彼此远离。

在一些实施方案中，所述方法还可以包括：在使第一磁性结构和第二磁性结构朝向彼此移动之前，向第一磁性结构和第二磁性结构中的每一个施加磁场。可以进行所述磁场的施加以改变第一磁性结构的磁化状态和第二磁性结构的磁化状态，从而允许第一磁性结构和第二磁性结构具有不同的磁化方向。

在一些实施方案中，第一磁性结构和第二磁性结构可以设置成薄膜的形式。