[发明专利]阵列基板、显示装置及其驱动方法有效
申请号: | 201710378364.7 | 申请日: | 2017-05-25 |
公开(公告)号: | CN108932085B | 公开(公告)日: | 2021-01-22 |
发明(设计)人: | 尚建兴;吴东琨;毛敏;王彦强;刘琨;李晓东 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | G06F3/044 | 分类号: | G06F3/044;G02F1/133;G02F1/1333;G09G3/36 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 焦玉恒 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 显示装置 及其 驱动 方法 | ||
1.一种阵列基板,包括:
衬底基板;以及
设置在所述衬底基板上的第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、数据线、第一电极和第二电极,
其中,所述第一薄膜晶体管包括第一源极和第一漏极,所述第二薄膜晶体管包括第二源极和第二漏极,所述第一源极和所述第二源极分别与所述数据线相连,所述第一漏极与所述第二电极相连,所述第二漏极与所述第一电极相连,所述第一源极、所述第二源极以及所述数据线一体成型,并且所述第二薄膜晶体管与所述第一薄膜晶体管的数量之比大于1:1,
所述阵列基板还包括存储电极,与所述第二电极同层设置,所述存储电极在所述衬底基板上的正投影与所述第一电极在所述衬底基板上的正投影至少部分重叠。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其中,所述第一电极为像素电极,所述第二电极为公共电极。
3.根据权利要求1所述的阵列基板,其中,所述数据线被配置为加载显示数据信号、触控信号以及公共电压信号。
4.根据权利要求3所述的阵列基板,其中,所述数据线被配置为依次加载所述显示数据信号、所述触控信号以及所述公共电压信号。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的阵列基板,其中,所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管同层设置。
6.根据权利要求1-4中任一项所述的阵列基板,还包括:
钝化层,设置在所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管远离所述衬底基板的一侧;以及
绝缘层,设置在所述第一电极和所述第二电极之间,
其中,所述第一电极设置在所述钝化层远离所述衬底基板的一侧,所述第二电极设置在所述绝缘层远离所述衬底基板的一侧。
7.根据权利要求6所述的阵列基板,其中,所述第一电极通过所述钝化层中的第一过孔与所述第一漏极相连,所述第二电极通过所述钝化层中的第二过孔与所述绝缘层中的第三过孔与所述第二漏极相连。
8.根据权利要求1-4中任一项所述的阵列基板,还包括:
第一栅线;以及
第二栅线,
其中,所述第一薄膜晶体管还包括第一栅极,所述第二薄膜晶体管还包括第二栅极,所述第一栅极与所述第一栅线相连,所述第二栅极与所述第二栅线相连。
9.根据权利要求8所述的阵列基板,其中,所述第二栅线与所述第一栅线的数量比大于或等于1:1。
10.根据权利要求8所述的阵列基板,其中,所述第一薄膜晶体管还包括第一有源层,所述第一有源层设置在所述第一栅极与所述第一源极和所述第一漏极之间,所述第二薄膜晶体管还包括第二有源层,所述第二有源层设置在所述第二栅极与所述第二源极和所述第二漏极之间。
11.一种显示装置,包括根据权利要求1-10中任一项所述的阵列基板。
12.根据权利要求11所述的显示装置,还包括:
第一驱动器,被配置为按时序为所述数据线提供显示数据信号、触控信号以及公共电压信号;以及
第二驱动器,被配置为按时序导通或断开所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管。
13.根据权利要求11所述的显示装置,还包括:
对置基板,与所述阵列基板相对设置;以及
液晶层,设置在所述阵列基板和所述对置基板之间,
其中,所述第一电极和所述第二电极被配置为产生电场以驱动所述液晶层中的液晶分子偏转。
14.根据权利要求12所述的显示装置,还包括:
对置基板,与所述阵列基板相对设置;以及
液晶层,设置在所述阵列基板和所述对置基板之间,
其中,所述第一电极和所述第二电极被配置为产生电场以驱动所述液晶层中的液晶分子偏转。
15.一种根据权利要求11-14任一项所述的显示装置的驱动方法,包括:
在第一时间段,向所述数据线施加显示数据信号并导通所述第一薄膜晶体管,断开所述第二薄膜晶体管,所述数据线将所述显示数据信号通过所述第一薄膜晶体管传输至所述第一电极;
在第二时间段,向所述数据线施加触控信号并断开所述第一薄膜晶体管,导通所述第二薄膜晶体管,所述数据线将所述触控信号通过所述第二薄膜晶体管传输至所述第二电极;以及
在第三时间段,向所述数据线施加公共电压信号并断开所述第一薄膜晶体管,导通所述第二薄膜晶体管,所述数据线将所述公共电压信号通过所述第二薄膜晶体管传输至所述第二电极。
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