[发明专利]一种平响应复合滤片及其制备方法

权利要求书

1.一种平响应复合滤片的制备方法，其特征在于，在第一金层的一侧表面上制备具有多孔结构的第二金层，所述第一金层与第二金层相连，得到一种平响应复合滤片；

所述多孔结构的每个孔分别垂直于第一金层与第二金层的相连面，且分别延伸贯通第二金层。

2.根据权利要求1所述的一种平响应复合滤片的制备方法，其特征在于，所述第一金层的厚度为45-55nm，优选为48-52nm，进一步优选为50nm。

3.根据权利要求1所述的一种平响应复合滤片的制备方法，其特征在于，所述第二金层的厚度为370-390nm，优选为375-385nm，进一步优选为380nm。

4.根据权利要求1所述的一种平响应复合滤片的制备方法，其特征在于，所述多孔结构中每个孔的孔径为4.8-5.2μm，优选为4.9-5.1μm，进一步优选为5μm。

5.根据权利要求1所述的一种平响应复合滤片的制备方法，其特征在于，所述多孔结构为多孔阵列结构；

优选地，所述多孔阵列结构的周期为10.8-11.2μm，优选为10.9-11.1μm，进一步优选为10.9μm。

6.根据权利要求1所述的一种平响应复合滤片的制备方法，其特征在于，在衬底上制备腐蚀阻挡层，在腐蚀阻挡层上制备第一金层，在第一金层上制备光刻胶模板，通过光刻胶模板在第一金层上制备第二金层，加热退火，分别除去光刻胶模板、衬底和腐蚀阻挡层，得到一种平响应复合滤片。

7.根据权利要求6所述的一种平响应复合滤片的制备方法，其特征在于，所述在衬底上制备腐蚀阻挡层，在腐蚀阻挡层上制备第一金层包括：将衬底加热，在衬底上涂覆制备得到腐蚀阻挡层，在所得腐蚀阻挡层上磁控溅射得到第一金层；

优选地，所述衬底为硅片；

优选地，所述加热的温度为140℃以上，优选为140-160℃，进一步优选为150℃；

优选地，所述加热的时间为10min以上，优选为10-20min，进一步优选为15min；

优选地，所述腐蚀阻挡层的厚度为1.5μm以上，优选为1.5-2μm，进一步优选为1.7μm；

优选地，所述腐蚀阻挡层为聚酰亚胺腐蚀阻挡层；

进一步优选地，在衬底上涂覆聚酰亚胺后进行酰亚胺化处理，在所得聚酰亚胺腐蚀阻挡层上磁控溅射得到第一金层；

可选地，所述硅片采用酸溶液腐蚀除去；

优选地，所述酸溶液包括氢氟酸和硝酸的混合溶液；

进一步优选地，所述氢氟酸和硝酸的混合溶液中，氢氟酸和硝酸的体积比为2-4：1，优选为3：1；

可选地，所述聚酰亚胺腐蚀阻挡层采用等离子体刻蚀除去；

优选地，刻蚀气体包括六氟化硫和氧气；

进一步优选地，所述六氟化硫的流量为8sccm以上，优选为8-12sccm，进一步优选为10sccm；

进一步优选地，所述氧气的流量为150sccm以上，优选为150-170sccm，进一步优选为160sccm；

优选地，上电极功率为350W以上，优选为350-450W，进一步优选为400W；

优选地，下电极功率为30W以上，优选为30-50W，进一步优选为40W。

8.根据权利要求6所述的一种平响应复合滤片的制备方法，其特征在于，所述加热退火的温度为120℃以上，优选为120-200℃，进一步优选为150℃；

优选地，所述加热退火的时间为30min以上，优选为30-240min，进一步优选为60min。