[发明专利]阵列基板、显示装置以及制备阵列基板的方法

说明书

本发明公开了阵列基板、显示装置以及制备阵列基板的方法。该阵列基板包括：基板；薄膜晶体管，所述薄膜晶体管设置在所述基板上，所述薄膜晶体管包括：遮光层以及有源层，所述遮光层设置在所述基板上，所述有源层设置在所述遮光层远离所述基板的一侧，所述遮光层是由非晶硅形成的，所述阵列基板包括显示区，且包括阵列基板行驱动区以及多路复用区的至少之一，所述薄膜晶体管设置在所述显示区，且所述薄膜晶体管设置在所述阵列基板行驱动区以及所述多路复用区的至少之一中。由此，可以降低有源层在光照条件下产生光生漏电流，且不会产生电荷积累，进一步地可以使显示区、阵列基板行驱动区以及多路复用区的光生漏电流均得到有效控制，从而可以提高该阵列基板的性能。

技术领域

本发明涉及电子领域，具体地，涉及阵列基板、显示装置以及制备阵列基板的方法。

背景技术

低温多晶硅(Low Temperature Poly-Silicon，LTPS)由于具有较高的电子迁移率，近年来受到了广泛的关注。低温多晶硅技术是多晶硅技术的一个分支，其在元件小型化、提高面板开口率、提升画面品质与清晰度上具有显著的优势。与传统的非晶硅材料形成的薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)相比，低温多晶硅材料在制备薄膜晶体管时可以具有更快的反应速度，从而有利于提高薄膜晶体管对于液晶分子的控制能力，并可以缩小薄膜电路的尺寸。因此，一方面可以使得形成的薄膜晶体管小型化，另一方面也可以降低薄膜电路的功耗。并且，较小的薄膜电路有利于提高液晶显示器的开口率，因此在背光模块输出功率不变的前提下，可以获得更好的显示亮度以及更好的色彩输出。

然而，目前基于低温多晶硅的阵列基板、制备方法以及显示装置仍有待改进。

发明内容

本发明是基于发明人对以下事实的发现和认识而作出的：

目前，基于低温多晶硅的显示装置，普遍存在阵列基板上的薄膜晶体管的开关比不够理想、生产工艺较为复杂等问题。发明人经过深入研究以及大量实验发现，这主要是由于低温多晶硅对光照较为敏感，在背光照射下，会产生光生漏电流。且一般而言，低温多晶硅的光生漏电流为非晶硅的十至百倍。因此，如无法有效控制光生漏电流，则阵列基板无法有效控制液晶分子的偏转，进而影响显示。其中，光照以及温度，均会引发低温多晶硅生成光生漏电流。目前，抑制漏电流的方法主要有以下三种：第一，通过降低热载流子效应，抑制光生漏电流；第二，制备遮光结构，通过避免背光照射到有源层的低温多晶硅材料，抑制光生漏电流的产生；第三，使用双栅场效应晶体管设计，控制光生漏电流。然而，发明人经过实测发现，光照对漏电流的影响，远比温度的影响严重。10000nit的光照足以使漏电流升高1-2个数量级。因此，单纯依靠降低热载流子效应，难以真正实现光生漏电流的抑制。而双栅型场效应晶体管的设计，无疑将使得阵列基板的制备复杂化，因此，目前采用低温多晶硅材料的显示装置，多通过设置遮光结构抑制光生漏电流。然而，发明人经过深入研究以及大量实验发现，在目前的产品中，普遍采用金属材料形成遮光结构。并且，上述遮光结构仅能够应用于显示区，而无法应用在阵列基板行驱动区域和多路复用区域。发明人经过深入研究发现，这主要是由于金属材料形成的遮光结构容易形成电荷累积，因此无法应用于阵列基板行驱动和多路复用区域。并且，引入金属材料遮光结构，也使得低温多晶硅场效应晶体管的制备工艺复杂化。

本发明旨在至少一定程度上缓解或解决上述提及问题中至少一个。

有鉴于此，在本发明的一个方面，本发明提出了一种阵列基板。该阵列基板包括：基板；薄膜晶体管，所述薄膜晶体管设置在所述基板上，所述薄膜晶体管包括：遮光层以及有源层，所述遮光层设置在所述基板上，所述有源层设置在所述遮光层远离所述基板的一侧，所述遮光层是由非晶硅形成的，所述阵列基板包括显示区，且包括阵列基板行驱动区以及多路复用区的至少之一，所述薄膜晶体管设置在所述显示区，且所述薄膜晶体管设置在所述阵列基板行驱动区以及所述多路复用区的至少之一中。由此，可以降低有源层在光照条件下产生光生漏电流，且不会产生电荷积累，进一步地可以使显示区、阵列基板行驱动区以及多路复用区的光生漏电流均得到有效控制，从而可以提高该阵列基板的性能。