[发明专利]射频发射机

权利要求书

1.一种射频发射机，其特征在于，所述射频发射机包括：数模转换器、无源网络、两个缓冲器、混频器和功率放大器；

所述数模转换器的两个输出端与所述无源网络的两个输入节点一一连接，且所述数模转换器的两个输出端与所述两个缓冲器的输入端一一连接；所述两个缓冲器的输出端与所述混频器的两个输入端一一连接；所述混频器的输出端与所述功率放大器的输入端连接；所述功率放大器的输出端与天线连接；其中，所述无源网络用于对输入的电流信号进行滤波处理，并同时将所述电流信号转换为电压信号，所述两个缓冲器均为单级结构的高速缓冲器；

其中，所述无源网络包括两个无源单元，所述两个无源单元的一端与所述数模转换器的两个输出端一一连接，所述两个无源单元的另一端接地；或者，所述无源网络包括两个无源单元，所述两个无源单元的一端与所述数模转换器的两个输出端一一连接，所述两个无源单元的另一端与外部电源连接；

其中，所述两个缓冲器中的每个缓冲器包括电流源和第五PMOS管，所述电流源的一端与外部电源连接，所述电流源的另一端分别与所述第五PMOS的源极和所述混频器的一个输入端连接，所述第五PMOS管的栅极与所述数模转换器的一个输出端连接，所述第五PMOS管的漏极接地；或者，所述两个缓冲器中的每个缓冲器包括电流源和第五NMOS管，所述第五NMOS管的漏极与外部电源连接，所述第五NMOS管的栅极与所述数模转换器的一个输出端连接，所述电流源的一端分别与所述第五NMOS管的源极 和所述混频器的一个输入端连接，所述电流源的另一端接地。

2.如权利要求1所述的射频发射机，其特征在于，所述数模转换器包括多个第一电流舵单元，每个第一电流舵单元包括电流源、第一P型金属氧化物半导体PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管和第四PMOS管；

所述电流源的一端与外部电源连接，所述电流源的另一端分别与所述第一PMOS管的源极和所述第二PMOS管的源极连接；所述第一PMOS管的栅极与第一信号源连接，所述第一PMOS管与所述第三PMOS管正向串联；所述第二PMOS管的栅极与第二信号源连接，所述第二PMOS管与所述第四PMOS管正向串联；所述第三PMOS管的栅极与所述第四PMOS管的栅极连接，且所述第三PMOS管的栅极和所述第四PMOS管的栅极均与第三信号源连接；所述第三PMOS管的漏极和所述第四PMOS管的漏极与所述无源网络的两个输入节点一一连接，且所述第三PMOS管的漏极和所述第四PMOS管的漏极与所述两个缓冲器的输入端一一连接。

3.如权利要求1所述的射频发射机，其特征在于，所述数模转换器包括多个第二电流舵单元，每个第二电流舵单元包括电流源、第一N型金属氧化物半导体NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管和第四NMOS管；

所述电流源的一端接地，所述电流源的另一端分别与所述第一NMOS管的源极和所述第二NMOS管的源极连接；所述第一NMOS管的栅极与第一信号源连接，所述第一NMOS管与所述第三NMOS管正向串联；所述第二NMOS管的栅极与第二信号源连接，所述第二NMOS管与所述第四NMOS管正向串联；所述第三NMOS管的栅极与所述第四NMOS管的栅极连接，且所述第三NMOS管的栅极和所述第四NMOS管的栅极均与第三信号源连接；所述第三NMOS管的漏极和所述第四NMOS管的漏极与所述无源网络的两个输入节点一一连接，且所述第三NMOS管的漏极和所述第四NMOS管的漏极与所述两个缓冲器的输入端一一连接。

4.如权利要求1所述的射频发射机，其特征在于，所述两个无源单元中的每个无源单元包括第一电阻和第一电容，所述第一电阻与所述第一电容并联；或者，

所述两个无源单元中的每个无源单元包括第二电阻、第三电阻、第二电容和第三电容，所述第二电阻与所述第二电容并联，所述第二电阻和所述第二电容组成的电路与所述第三电容串联，所述第二电阻、所述第二电容和所述第三电容组成的电路与所述第三电阻并联。