[发明专利]一种PDA/Bi-AgIn5S8/TiO2异质结光电极及制备方法和用途有效
| 申请号: | 201710374433.7 | 申请日: | 2017-05-24 |
| 公开(公告)号: | CN107265401B | 公开(公告)日: | 2019-05-31 |
| 发明(设计)人: | 范伟强;管鹏;李春发;白红叶;葛燚林 | 申请(专利权)人: | 江苏大学 |
| 主分类号: | C25B1/00 | 分类号: | C25B1/00;C25B1/04;C25B11/04;B82Y40/00 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 212013 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 pda bi agin5s8 tio2 异质结光 电极 制备 方法 用途 | ||
1.一种PDA/Bi-AgIn5S8/TiO2异质结光电极,其特征在于,采用如下方法制备:分别取AgNO3溶液、NH4NO3溶液以及In(NO3)3溶液充分搅拌后获得含有Ag+和In3+的混合溶液;将三乙醇胺溶液与含有Ag+和In3+的混合溶液混合以形成银和铟络合物,紧接着加入硫酸将前驱体溶液的pH值调节为酸性,以避免其发生水解反应形成In(OH)3沉淀,然后将硫代乙酰胺溶液和氯化铋粉末加入该溶液中搅拌均匀;随后将生长有TiO2纳米棒阵列的玻璃基片正面朝上放入上述溶液中反应,得到Bi-AgIn5S8/TiO2异质结光电极;将盐酸多巴胺加入到Tris-盐酸缓冲溶液中,将Bi-AgIn5S8/TiO2异质结光电极浸泡在溶液中,浸泡时间分别为1-5h,最终得到具有不同PDA厚度的PDA/Bi-AgIn5S8/TiO2异质结光电极材料。
2.如权利要求1所述的一种PDA/Bi-AgIn5S8/TiO2异质结光电极,其特征在于,所述AgNO3溶液、NH4NO3溶液、In(NO3)3溶液、三乙醇胺溶液、硫代乙酰胺溶液、氯化铋粉末的比例为:1.09mL:0.55mL:1.09mL:0.55mL:15.3mL:0.01-0.05g;AgNO3溶液的浓度为0.4M;NH4NO3溶液的浓度为0.4M;In(NO3)3溶液的浓度为0.32M;三乙醇胺溶液的浓度为7.4M;硫代乙酰胺溶液的浓度为0.4M。
3.如权利要求1所述的一种PDA/Bi-AgIn5S8/TiO2异质结光电极,其特征在于,所述盐酸多巴胺与Tris-盐酸缓冲溶液的比例为:0.2g:100mL;所述Tris-盐酸缓冲溶液的pH值为8.5。
4.如权利要求1所述的一种PDA/Bi-AgIn5S8/TiO2异质结光电极,其特征在于,所述含有Ag+和In3+的混合溶液中,Ag:In的摩尔比为1:0.8。
5.如权利要求1所述的一种PDA/Bi-AgIn5S8/TiO2异质结光电极,其特征在于,所述反应温度为80℃,反应时间为1.5h。
6.如权利要求1所述的一种PDA/Bi-AgIn5S8/TiO2异质结光电极,其特征在于,浸泡时间为3h。
7.如权利要求1所述的一种PDA/Bi-AgIn5S8/TiO2异质结光电极作为工作电极应用于光电化学水解反应的用途。
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