[发明专利]芯片XY移动、角度校正、顶取机构有效
申请号: | 201710374024.7 | 申请日: | 2017-05-24 |
公开(公告)号: | CN107195576B | 公开(公告)日: | 2020-05-05 |
发明(设计)人: | 代克明;曾林波;肖华平 | 申请(专利权)人: | 广东瑞谷光网通信股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/68 | 分类号: | H01L21/68;H01L21/683 |
代理公司: | 深圳市凯达知识产权事务所 44256 | 代理人: | 刘大弯 |
地址: | 523000 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 芯片 xy 移动 角度 校正 机构 | ||
本发明涉及LD加工领域,公开了一种芯片XY移动、角度校正、顶取机构,包括Y轴移动电机,所述Y轴移动电机的Y轴移动轴上固定有X轴移动平台,所述X轴移动平台上设置有X轴移动电机,所述X轴移动电机的X轴移动轴上固定有旋转校正底座,所述旋转校正底座上设置有能旋转的蓝膜支架和旋转电机,所述旋转电机通过皮带传动蓝膜支架旋转,所述蓝膜支架上放置有载有LD芯片的蓝膜,所述蓝膜支架的下方设置有芯片顶取机构。本发明具有能快速、准确将芯片定位后再从蓝膜上分离的优点。
技术领域
本发明涉及LD加工领域,尤其是涉及一种能快速、准确将芯片定位后再从蓝膜上分离的芯片XY移动、角度校正、顶取机构。
背景技术
LD(半导体激光器)具有效率高、寿命长、光束质量好、体积小、重量轻、可全固化等诸多优点,近年得到快速发展,并成为当今国际上激光领域最令人关注的研究热点。高功率及高能固体激光器在工业加工、医学以及军事领域有广泛应用前景和发展潜力。作为高功率固体激光器的核心部件-LD(半导体激光器),其技术水平及研制能力直接制约着固体激光器技术发展。近年来,固体激光器输出功率水平的大幅度提高并在强激光应用领域呈现的巨大发展潜力,正是得益于二极管激光器技术的突破进展。高功率二极管激光器技术包括两个主要方面,芯片制造技术和封装技术。随着激光输出功率的提高,高功率二极管激光器在单位面积上热功率密度增加,高功率二极管激光器封装工艺已成为其发展的瓶颈。LD封装工艺是将芯片粘结固定并密封保护的一种精密组装制造技术。LD封装设备包括清洗、固晶、固晶烘烤、焊线、点荧光粉、安装透镜、灌封透镜、测试包装等一套生产工艺;其核心是固晶和键合(焊线)工艺。在LD的芯片制造、管芯(模组)封装和产品应用三个方面,封装工艺和设备更接近于市场,对产业的推动作用更为直接。其中,共晶焊接技术是下一代倒装大功率LD芯片封装工艺中最为关健的核心技术之一,共晶焊技术的好坏会直接影响到大功率LD模组的发光效率、寿命、散热性能和终端产品质量。在进行焊接时要保证芯片位置的正确,这样就要求对从蓝膜上剥离出的芯片的位置要准确。
发明内容
本发明目的在于提供一种能快速、准确将芯片定位后再从蓝膜上分离的LD芯片进行校正的芯片XY移动、角度校正、顶取机构。
本发明通过以下技术措施实现的,一种芯片XY移动、角度校正、顶取机构,包括Y轴移动电机,所述Y轴移动电机的Y轴移动轴上固定有X轴移动平台,所述X轴移动平台上设置有X轴移动电机,所述X轴移动电机的X轴移动轴上固定有旋转校正底座,所述旋转校正底座上设置有能旋转的蓝膜支架和旋转电机,所述旋转电机通过皮带传动蓝膜支架旋转,所述蓝膜支架上放置有载有LD芯片的蓝膜,所述蓝膜支架的下方设置有芯片顶取机构。
作为一种优选方式,所述芯片顶取机构包括固定板,所述固定板上设置有一L形导向块,所述L形导向块竖直设置有一滑动导轨,所述滑动导轨上下滑动设置有固定块,所述固定块上固定有一顶针外筒,所述顶针外筒内固定有顶针,所述L形导向块上还固定有一驱动电机,所述驱动电机上设置有一由驱动电机驱动上下移动的推动块,所述推动块上下移动时带动固定块沿滑动导轨上下滑动,从而使顶针外筒上下移动,所述顶针外筒内空且在上方设置有开口,所述顶针外筒还连接有一抽真空装置。
作为一种优选方式,所述抽真空装置由一吸取电磁阀控制其抽真空并由一破真空电磁阀控制外界空气进入顶针外筒内。
作为一种优选方式,所述破真空电磁阀控制外界空气通过一过滤器进入顶针外筒内。
作为一种优选方式,所述L形导向块上还固定向外凸出一限位块,所述限位块在推动块向下运动时限定固定块下落的深度。
作为一种优选方式,所述Y轴移动轴上设置有感应片,所述Y轴移动电机上设置有与感应片配合的多个位置感应器;所述X轴移动轴上设置有感应片,所述X轴移动平台上设置有与感应片配合的多个位置感应器。
作为一种优选方式,所述旋转电机的驱动轴上连接有同步轮,所述同步轮传动皮带。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造