[发明专利]微点阵高分子聚合物/非晶合金薄膜复合材料及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201710373644.9 申请日: 2017-05-24
公开(公告)号: CN107139446A 公开(公告)日: 2017-09-08
发明(设计)人: 杨青林;魏芳;郭林;江雷 申请(专利权)人: 北京航空航天大学
主分类号: B29C64/10 分类号: B29C64/10;B29C64/30;C23C18/32;C23C18/48;C23C18/50;B33Y10/00;B33Y30/00
代理公司: 北京金恒联合知识产权代理事务所11324 代理人: 李强
地址: 100191*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 点阵 高分子 聚合物 合金 薄膜 复合材料 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种微点阵高分子聚合物/非晶合金薄膜复合材料的制备方法,其特征在于包括:

制备三维微点阵聚合物模板,其中采用快速成型技术制备三维微点阵聚合物模板;

在三维微点阵聚合物模板表面沉积非晶合金薄膜,得到成型结构体。

2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于:

所述的快速成型技术包括从光固化立体成型技术、数字光处理、选择性激光烧结、熔积成型中选出的至少一种。

3.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于

所述光固化成型技术的工艺参数包括:填充扫描速度:200~500mm/s,扫描间距:0.1~0.5mm,光斑补偿直径:0.1~0.3mm,支撑扫描速度:80~120mm/s,跳跨速度:300~800mm/s,层间等待时间:1~5s,工作台进给速度:2~10mm/s,工作台浸入深度:5~10mm;

所述数字光处理成型的工艺参数包括:投影分辨率768×480,投影光波段350~450nm,切片厚度20~50μm,室温固化,每层固化时间3~10s,步进电机每次运动时间为1~5s;

所述选择性激光烧结的工艺参数包括:激光功率:10~50W,预热温度60~180℃,切片厚度0.1~2mm,扫描速度1000~2000mm/s;

所述熔积成型的工艺参数包括:分层厚度0.05~1.0mm,喷嘴温度100~400℃。

4.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于所述的三维微点阵聚合物模板的结构包括简单立方、体心立方、面心立方、简单六方、简单四方、体心四方、R心六方、简单正交、O心正交、体心正交、面心正交、简单斜方、O心单斜、简单三斜、金刚石正四面体结构中的至少一种。

5.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于所述的三维微点阵聚合物模板的材料为高分子聚合物,包括从复合光敏树脂EX-200型、复合光敏树脂DXZ-100型、复合光敏树脂DSM somos14120型、丙烯酸酯类树脂、环氧树脂、聚苯乙烯、聚对苯二甲酸乙二酯、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物、聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚甲醛、聚氯乙烯、聚丙烯、聚乳酸、尼龙、高精蜡中选出的至少一种。

6.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于所述的在三维微点阵聚合物模板上沉积非晶合金薄膜的方法为化学镀。

7.根据权利要求1所述的的制备方法,其特征在于所述的非晶合金膜材料是从Ni-P,Fe-P、Ni-Fe-P、Ni-Co-P、Ni-Cu-P、Ni-Cr-P、Ni-Sn-P、Ni-Zn-P、Ni-Pd-P、Ni-Fe-P、Ni-Re-P、Ni-P-B、Fe-Ni-P-B、Fe-W-Mo-B中选出的至少一种。

8.用根据权利要求1-7之一所述的方法制备的微点阵高分子聚合物/非晶合金薄膜复合材料,其特征在于:

所制得的微点阵聚合物/非晶合金薄膜复合材料的结构单元中,单元柱的长度为0.5-2mm,单元柱的直径为0.2-0.6mm。

9.用根据权利要求1-7之一所述的方法制备的微点阵高分子聚合物/非晶合金薄膜复合材料,其特征在于:

所制得的微点阵高分子聚合物/非晶合金薄膜复合材料是密度为200mg/cm3的低密度轻质点阵材料。

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