[发明专利]SOI存储器件

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，包含：

提供包含半导体本体衬底、形成在所述半导体本体衬底上的掩埋氧化物层和形成在所述掩埋氧化物层上的半导体层的绝缘体上硅衬底；

在所述绝缘体上硅衬底上和之中形成晶体管器件，其中，形成所述晶体管器件包含在所述半导体层的第一部分中形成所述晶体管器件的沟道区域、并在所述半导体层的所述第一部分中的所述沟道区域上方形成所述晶体管器件的栅极电极；和

在所述绝缘体上硅衬底上和之中形成存储器件，其中，形成所述存储器件包含从所述半导体层的第二部分形成浮置栅极、在所述浮置栅极上形成绝缘层、在所述绝缘层上形成控制栅极、并形成读/写栅极，

其中，所述晶体管器件的所述栅极电极至少部分地与所述读/写栅极整体形成。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述绝缘层是氧化物-氮化物-氧化物层。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述栅极电极在所述绝缘层形成在所述浮置栅极上之后形成。

4.根据权利要求3所述的方法，其中形成所述读/写栅极包含：

在所述掩埋氧化物层的暴露上表面上形成栅极电介质层并与其直接接触；和

在所述栅极电介质层上形成所述读/写栅极。

5.根据权利要求1所述的方法，还包含：

在所述控制栅极和所述读/写栅极上方形成层间电介质；和

通过形成在所述层间电介质中并且直接接触所述浮置栅极和所述读/写栅极的触点将所述浮置栅极和所述读/写栅极电连接。

6.根据权利要求1所述的方法，还包含：

在所述控制栅极和所述读/写栅极上方形成层间电介质；

在所述层间电介质上方形成第一金属化层；

在所述第一金属化层中形成金属化结构；

在所述层间电介质中形成与所述金属化结构和所述读/写栅极接触的第一触点；和

在所述层间电介质中形成与所述金属化结构和所述浮置栅极接触的第二触点。

7.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述存储器件还包含在所述半导体本体衬底中形成背栅极。

8.一种制造半导体器件的方法，所述方法包含：

在绝缘体上硅衬底之上和之中形成闪速存储器件，所述绝缘体上硅衬底包含半导体本体衬底、形成在所述半导体本体衬底上的掩埋氧化物层和形成在所述掩埋氧化物层上的半导体层，其中形成所述闪速存储器件包含：

从所述半导体层的第一部分形成浮置栅极；

在所述半导体层上方形成绝缘层；

在所述绝缘层上形成控制栅极；和

在所述绝缘体上硅衬底上方形成读/写栅极；和

在所述绝缘体上硅衬底之上和之中形成晶体管器件，其中形成所述晶体管器件包含：

在所述半导体层的第二部分中形成所述晶体管器件的沟道区域；

在所述半导体层的所述第二部分中的所述沟道区域上方形成所述晶体管器件的栅极电介质层；和

在形成所述半导体层上方的所述绝缘层之后，在所述栅极电介质层上方形成所述晶体管器件的栅极电极，其中所述晶体管器件的所述栅极电极至少部分地与所述读/写栅极整体形成。

9.根据权利要求8所述的方法，还包含电绝缘所述半导体层的所述第一部分和所述半导体层的所述第二部分。

10.根据权利要求8所述的方法，其中所述绝缘层是氧化物-氮化物-氧化物层。

11.根据权利要求8所述的方法，还包含在所述控制栅极和所述读/写栅极上方形成层间电介质，并通过形成在所述层间电介质中并且直接接触所述浮置栅极和所述读/写栅极的触点来电连接所述浮置栅极和所述读/写栅极。