[发明专利]一种金属-半导体双纳米线型混合表面等离子波导结构有效
| 申请号： | 201710371323.5 | 申请日： | 2017-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN107037535B | 公开（公告）日： | 2023-02-28 |
| 发明（设计）人： | 朱君;徐政杰;秦柳丽;傅得立 | 申请（专利权）人： | 广西师范大学 |
| 主分类号： | G02B6/122 | 分类号： | G02B6/122;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 桂林市华杰专利商标事务所有限责任公司 45112 | 代理人： | 刘梅芳 |
| 地址： | 541004 广西壮*** | 国省代码： | 广西;45 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 金属 半导体 纳米 线型 混合 表面 等离子 波导 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种金属-半导体双纳米线型混合表面等离子波导结构，其特征是，包括自下而上顺序叠接的二氧化硅基底、低折射率缓冲层、低折射率介质包层和金属Ag纳米带顶层，所述低折射率缓冲层中设有对称掩埋的第一纳米线和第二纳米线，第一纳米线和第二纳米线之间刻蚀有低折射率介质连通间隙，所述低折射率缓冲层为SiO2层；所述第一纳米线和第二纳米线均为高折射率InGaAsP纳米线；所述低折射率介质为MgF2介质，入射光从侧面以任一角度衍射到波导，金属Ag纳米带顶层5的Ag纳米带与InGaAsP双纳米线发生耦合，所述的双InGaAsP纳米线第一纳米线和第二纳米线间刻蚀MgF2间隙、在间隙中产生次强局域化现象，此处局域化产生的场和Ag纳米带与InGaAsP纳米线耦合产生的场相互叠加，出现高度局域化。
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