[发明专利]半导体存储器件及其操作方法有效

专利信息
申请号: 201710371303.8 申请日: 2017-05-23
公开(公告)号: CN107437435B 公开(公告)日: 2021-05-04
发明(设计)人: 柳睿信;车相彦;郑会柱;赵诚珍 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: G11C29/02 分类号: G11C29/02;G11C29/00
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 吴晓兵
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体 存储 器件 及其 操作方法
【权利要求书】:

1.一种操作包括存储器单元阵列的半导体存储器件的方法,所述存储器单元阵列包括多个存储体阵列,所述方法包括:

测试所述存储器单元阵列的第一区域中的存储器单元;

确定与测试失败的存储器单元相对应的故障地址;以及

将所确定的故障地址存储在所述存储器单元阵列中的第二区域中,所述第二区域不同于所述第一区域,

其中,所述第一区域中的存储器单元连接到多条字线,并且所述测试包括:

针对多个测试项目中的每个测试项目,逐条字线地测试所述第一区域中的存储器单元,以及

累积对于每个测试项目的每个测试结果,并且基于所累积的测试结果来检测故障单元。

2.根据权利要求1所述的方法,其中,所述累积包括:

将对于每个测试项目的每个测试结果传送到并累积在所述第二区域中。

3.根据权利要求1所述的方法,其中,所确定的故障地址以查找表的形式存储在所述第二区域中。

4.根据权利要求1所述的方法,其中,将所确定的故障地址存储在第二区域中包括:

将所确定的故障地址冗余地存储在所述第二区域中。

5.根据权利要求1所述的方法,其中,将所确定的故障地址存储在第二区域中包括:

对所确定的故障地址进行编码;以及

将编码的故障地址冗余地存储在所述第二区域中,以及

其中所确定的故障地址由所述半导体存储器件中包括的纠错电路编码。

6.根据权利要求1所述的方法,还包括:

读取存储在所述第二区域中的故障地址,以将所述故障地址编程在所述半导体存储器件中包括的反熔丝阵列中。

7.根据权利要求6所述的方法,其中,将所确定的故障地址存储在第二区域中包括:

对所确定的故障地址进行编码;以及

将编码的故障地址冗余地存储在所述第二区域中,

其中读取存储在所述第二区域中的故障地址包括:

读取冗余地存储在所述第二区域中的编码的故障地址;

对编码的故障地址执行多数投票,以选择由多数投票表示的编码的故障地址;以及

对所选择的故障地址进行解码。

8.根据权利要求1所述的方法,其中,所述第一区域是所述多个存储体阵列中的第一存储体阵列的一部分,所述第二区域是所述多个存储体阵列中的第二存储体阵列的一部分,并且所述第二存储体阵列不同于所述第一存储体阵列。

9.根据权利要求1所述的方法,其中,所述第一区域是所述多个存储体阵列中的第一存储体阵列的第一部分,所述第二区域是所述第一存储体阵列的第二部分,并且所述第二部分在物理上不同于所述第一部分。

10.根据权利要求9所述的方法,其中,所述第一区域和所述第二区域不共享位线读出放大器。

11.根据权利要求1所述的方法,其中,所述第一区域是所述多个存储体阵列中的第一存储体阵列的一部分,所述第二区域是所述多个存储体阵列中除所述第一存储体阵列以外的每个存储体阵列的一部分,并且所述每个存储体阵列不同于所述第一存储体阵列。

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