[发明专利]一种安全门禁加密系统

说明书

技术领域

本发明涉及一种加密系统，具体是一种安全门禁加密系统。

背景技术

电子产品被竞争对手破解，这往往给生产厂家造成很大损失，针对这种现象，很多厂家采用了加密技术来防止产品被破解。目前，大多数的厂家采用的是使用软件方法的加密，方法主要有，用软件的方法把产品中使用到的部分程序代码隐藏或掩盖起来、使用混淆的办法把部分程序代码和数据混同起来、使用乱跳的方法使程序跳来跳去、在程序中设置大量的冗余指针和冗余数据单元等。少数厂家采用比较简单的硬件加密，方法主要是：交换总线(总线乱置)、使用替代RAM、使用GAL器件对器件外EPROM中的软件加密等。

这样做也确实在一定程度上增大了破解产品的难度，但总体来看产品仍有较大可能被破解，加密效果不太理想。

目前对硬件加密较深入的研究局限于少数的贵重电子产品上，这样的加密所用到的元器件、电路比较复杂，价格也比较昂贵，如何能对大众化的硬件装置实施价格低廉而有效的加密成为一个迫切需要解决的问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种安全门禁加密系统，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

一种安全门禁加密系统，包括USB接口、数据读取模块、数据处理模块、控制模块、电源模块和门口机主控模块，所述控制模块分别连接门口机主控模块和数据处理模块，数据处理模块还通过数据读取模块连接USB接口。

作为本发明进一步的方案：所述电源模块分别为数据处理模块、控制模块和门口机主控模块供电。

作为本发明进一步的方案：所述USB接口用于连接解密装置。

作为本发明进一步的方案：所述数据读取模块通过USB接口连接解密装置，并读取解密装置中的秘钥，送数据处理模块进行解密处理后，再送到控制模块进行判断，若秘钥符合则控制门口机主控模块允许进行读写操作，若秘钥不符合则控制门口机主控模块不允许进行读写操作。

作为本发明再进一步的方案：所述电源模块包括芯片U1、芯片U2、电容C1、芯片M1 和芯片M2，电容C1一端分别连接电容C5、输入端Vi+、电容C2、MOSFET管Q1的D极、 MOSFET管Q2的D极和电感L2，电容C5另一端连接电容C9并接地，电容C9另一端分别连接输入端Vi-、电容C21、芯片M1引脚1、芯片M2引脚1、电容C1另一端、电容C2另一端、二极管D1正极、二极管D2正极、二极管D3正极、二极管D4正极、电阻R1、电阻 R2、电容C3、电容C4和输出端VO-并接地，MOSFET管Q1的S极分别连接二极管D1负极、二极管D2负极、二极管D3负极、二极管D4负极、电容C6、电容C7和电感L1并接地，电容C6另一端连接电阻R1另一端，电容C7另一端连接电阻R2另一端，电感L1另一端分别连接电容C3另一端、电容C4另一端、接地电容C8、电阻R4、短租R5和输出端VO+，电阻R4另一端连接电阻R9，电阻R9另一端分别连接电容C15、接地电阻R11、二极管D7 正极、电容C14、电容C13和芯片U1引脚16，电容C15另一端连接电阻R5另一端，电容 C14另一端连接电阻R7，电阻R7另一端分别连接电容C13另一端、芯片U1引脚17、芯片 U1引脚8和三极管Q5发射极，芯片U1引脚18连接接地电阻R6，芯片U1引脚15分别连接电阻R17、电阻R22和电容C19，芯片U1引脚14分别连接电容C18、电阻R16和电阻 R21，电阻R21另一端分别连接电阻R20、芯片U1引脚13、芯片U1引脚12、电容C19另一端和电阻R22另一端并接地，电阻R17另一端分别连接电容C18另一端、电阻R16另一端、电阻R15和电源VCC，电阻R15另一端分别连接电阻R20另一端和芯片U1引脚10，芯片U1引脚11分别连接电阻R19、电阻R27和接地电阻R28，三极管Q5集电极连接电容 C20并接地，电容C20另一端分别连接电阻R29和三极管Q5基极，电阻R29另一端连接电源VCC，电阻R27另一端连接电阻R26，电阻R26另一端连接电阻R25另一端，电阻R19 另一端分别连接芯片U1引脚4和二极管D7负极，芯片U1引脚1分别连接电阻R3、电容 C10和电阻R8，电容C10另一端连接电容C12并接地，电容C12另一端分别连接电阻R8、电阻R10和芯片U1引脚3，芯片U1引脚2分别连接接地电容C11和芯片U1引脚9，电阻 R10另一端分别连接芯片U1引脚5和电容C16并接地，电容C16另一端分别连接芯片U1 引脚6和电源VCC，芯片U1引脚7依次连接电阻R14、电阻R13，电阻R13另一端连接芯片U2引脚2，芯片U2引脚3接地，芯片U2引脚8分别连接电源VCC1、电容C17和三极管Q3集电极，三极管Q3基极分别连接芯片U2引脚6、芯片U2引脚7和三极管Q4基极，三极管Q4发射极分别连接三极管Q3发射极、电阻R12和电阻R18，电阻R12另一端分别连接MOSFET管Q2的G极和电阻R24，电阻R18另一端分别连接MOSFET管Q1的G极和电阻R23，电阻R23另一端连接电阻R24另一端并接地，电感L2另一端分别连接二极管D5 正极和二极管D6正极，二极管D5负极分别连接二极管D6负极、电容C21另一端、芯片 M1引脚2和芯片M2引脚2，芯片M1引脚6分别连接电源VCC1和电容C22，电容C22另一端连接芯片M1引脚7并接地，芯片M2引脚6分别连接电源VCC和电容C23，电容C23另一端连接芯片M2引脚7并接地。