[发明专利]一种系统级封装模块

说明书

本发明实施例公开了一种系统级封装模块，包括基板、半导体器件、金属框及磁性器件，半导体器件贴装于基板，基板、半导体器件及金属框均封装于封装体中；在基板的厚度方向上，金属框及半导体器件均位于基板与磁性器件之间；金属框具有裸露在封装体外的焊接面，磁性器件位于封装体外，且焊接于焊接面。半导体器件与磁性器件沿基板的厚度方向排布，仅增加封装模块整体的高度，减小了封装模块整体的占板面积；磁性器件堆叠在封装体外，可以减小封装体的尺寸，降低封装成本；金属框可以实现磁性器件与封装体内部结构的电气互联，方便磁性器件的电气互联；同时金属框的焊接面裸露在封装体外，加强散热。

技术领域

本发明涉及高密度功率系统封装技术，尤其涉及应用在高密光收发组件中的一种系统级封装模块。

背景技术

在PSIP模块(高密度表贴功率系统级封装，控制IC、MOSFET、电感电容等器件集成在同一封装中)设计领域，电感即磁性器件一直是小型化集成的难点，传统的方法是把电感平铺在有源器件周边。在对于高度没有限制，但对于板上面积缩小有强烈需求的场合，特别是100G容量光收发组件，迫切需要一种缩小PSIP占地面积的解决方案。

现有技术中，采用其引线框向上外延翻折，电感和引线框通过激光点焊，其框架设计难度提升、引线框成本过高，对注塑模具要求高，框架与电感之间只能通过激光电焊，长期可靠性无法保障。现有技术再一种技术方案中，磁性器件与半导体器件布置在同一平面，整个方案占板面积大，导致整个封装成本高。在又一种技术方案中，半导体器件放置在磁性器件上方，使得半导体器件散热不佳，连接线过长，引线电阻较大。

发明内容

本发明所要解决的技术问题在于，提供一种系统级封装模块，能够减小整体占板面积，降低成本，提高散热能力。

为了解决上述技术问题，本发明的实施例提供了系统级封装模块，包括基板、半导体器件、金属框及磁性器件，所述半导体器件贴装于所述基板，所述基板、所述半导体器件及所述金属框均封装于封装体中；在所述基板的厚度方向上，所述金属框及所述半导体器件均位于所述基板与所述磁性器件之间；所述金属框具有裸露在所述封装体外的焊接面，所述磁性器件位于所述封装体外，且焊接于所述焊接面。

在第一种可能的实现方式中，所述金属框包括至少两个引线框，所述引线框为折弯的凸台状，所述引线框包括两个支撑臂及连接臂，所述连接臂的两端分别与两所述支撑臂连接，且三者一体折弯成型；所述焊接面形成在所述连接臂上；两个所述支撑臂中，一所述支撑臂与所述基板或所述半导体器件电连接，另一所述支撑臂与所述基板固定连接。金属框易于加工成型。

结合第一种可能的实现方式，在第二种可能的实现方式中，所述引线框与所述基板连接呈梯形，所述连接臂的长度小于两个所述支撑臂与所述基板连接处之间的长度。以提高引线框的结构强度，且易于折弯成型。

结合第一种可能的实现方式，在第三种可能的实现方式中，所述连接臂平行于所述基板设置。以方便引线框与磁性器件之间的焊接。

结合第一种可能的实现方式，在第四种可能的实现方式中，其中一所述支撑臂呈倾斜状，其靠近基板的一端朝远离另一所述支撑臂的方向延伸形成连接片，所述连接片与所述基板或所述半导体器件贴合连接。

结合第四种可能的实现方式，在第五种可能的实现方式中，另一所述支撑臂沿所述基板的厚度方向设置，且相对倾斜状的支撑臂靠近所述封装体的侧表面。利用该支撑臂可以确定封装体的尺寸范围，以减小封装体的占板面积。

结合第一至第五任一种可能的实现方式，在第六种可能的实现方式中，所述至少两个引线框中包含第一引线框和第二引线框，所述第二引线框与所述基板电连接，所述第一引线框与所述半导体器件电连接。利用两个引线框，使得磁性器件可以与基板及半导体器件电气互联。