[发明专利]一种准垂直结构的GaN基肖特基二极管制备方法

权利要求书

1.一种准垂直结构的GaN基肖特基二极管制备方法，其特征在于，在生长衬底上外延生长高掺杂N-型GaN层；在N-型GaN层上外延生长高掺杂N+ GaN层；在所述的N+ GaN层上制作欧姆接触；在所述的N-层上形成肖特基接触，通过空气桥将肖特基接触引到阳极。

2.根据权利要求1所述的一种准垂直结构的GaN基肖特基二极管制备方法，其特征在于，在生长衬底上外延生长的高掺杂N-型GaN层的掺杂元素为Ⅳ族元素，掺杂浓度在10¹⁶/cm³量级到10¹⁹/cm³量级之间；所述的高掺杂N+层GaN层的掺杂元素为Ⅳ族元素，掺杂浓度在10¹⁶/cm³量级到10¹⁸/cm³量级之间。

3.根据权利要求1所述的一种准垂直结构的GaN基肖特基二极管制备方法，其特征在于，在所述的N+ GaN层上用光刻制作欧姆接触区。

4.根据权利要求3所述的一种准垂直结构的GaN基肖特基二极管制备方法，其特征在于，在欧姆接触区内依次蒸发钛、铝、镍、金金属层，或钛、铝、铂、金金属层，并通过高温快速退火形成欧姆接触。

5.根据权利要求4所述的一种准垂直结构的GaN基肖特基二极管制备方法，其特征在于，在形成的欧姆接触层上用晶片键合的方法粘合石英基板，形成二次衬底。

6.根据权利要求1-5中任一权利要求所述的一种准垂直结构的GaN基肖特基二极管制备方法，其特征在于，通过激光剥离或机械研磨的方法去掉大部分的生长衬底，保留100μm以下的衬底采用ICP方法进行刻蚀，直到把衬底刻蚀干净。

7.根据权利要求6所述的一种准垂直结构的GaN基肖特基二极管制备方法，其特征在于，对剥离生长衬底后的外延层进行轻刻蚀和抛光处理，去掉剥离造成的损伤，刻蚀出N-GaN台面，露出多余的欧姆接触金属。

8.根据权利要求7所述的一种准垂直结构的GaN基肖特基二极管制备方法，其特征在于，在N-GaN台面上蒸发Ti、Au金属，形成肖特基接触。

9.根据权利要求8所述的一种准垂直结构的GaN基肖特基二极管制备方法，其特征在于，制备欧姆接触电极和肖特基接触电极。

10.根据权利要求9所述的一种准垂直结构的GaN基肖特基二极管制备方法，其特征在于，采用电镀方法制作空气桥，将肖特基接触电极引到阳极PAD，同时实现阴极PAD的加厚；将二次衬底进行减薄，并进行分片，得到分立器件。