[发明专利]TFT阵列基板结构有效

专利信息
申请号: 201710370162.8 申请日: 2017-05-23
公开(公告)号: CN107204344B 公开(公告)日: 2020-05-29
发明(设计)人: 磨光阳 申请(专利权)人: 深圳市华星光电技术有限公司
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12
代理公司: 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 代理人: 林才桂
地址: 518132 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: tft 阵列 板结
【权利要求书】:

1.一种TFT阵列基板结构,其特征在于,包括自下至上依次层叠设置的第一金属层、栅极绝缘层(3)、半导体有源层(5)、第二金属层、及钝化绝缘层(8);

所述TFT阵列基板结构具有多个呈阵列式排布的像素区域,在纵向相邻的两像素区域内,所述第一金属层包括沿横向延伸的公共电压线(Com)、及栅极线(G),所述第二金属层包括沿纵向延伸的数据线(D)、与所述数据线(D)连接的第一源极(S1)、与所述数据线(D)连接的第二源极(S2)、与所述第一源极(S1)相对设置的第一漏极(D1)、与所述第二源极(S2)相对设置的第二漏极(D2)、与所述第二漏极(D2)连接的第三源极(S3)、及与所述第三源极(S3)相对设置的第三漏极(D3);所述钝化绝缘层(8)覆盖第二金属层、半导体有源层(5)、与栅极绝缘层(3);

所述钝化绝缘层(8)上设有贯穿该钝化绝缘层(8)的第一通孔(V1),所述第一通孔(V1)暴露出第三漏极(D3)的部分表面;所述钝化绝缘层(8)与栅极绝缘层(3)上设有贯穿该钝化绝缘层(8)与栅极绝缘层(3)的第二通孔(V2),所述第二通孔(V2)暴露出公共电压线(Com)的部分表面;所述第一通孔(V1)与第二通孔(V2)沿横向间隔设置;所述第一通孔(V1)内、第二通孔(V2)内、及第一通孔(V1)与第二通孔(V2)之间沉积有用于连接第三漏极(D3)与公共电压线(Com)的导电薄膜(9);

所述栅极线(G)、第一源极(S1)、与第一漏极(D1)形成第一充电TFT(T1),所述栅极线(G)、第二源极(S2)、与第二漏极(D2)形成第二充电TFT(T2),所述栅极线(G)、第三源极(S3)、与第三漏极(D3)形成放电TFT(T3);

所述第一漏极(D1)连接一像素电极(P1),所述第二漏极(D2)连接另一像素电极(P2);

所述第一通孔(V1)距第三漏极(D3)位于第一通孔(V1)与第二通孔(V2)之间的边界的距离(b1)大于4um;

所述第二通孔(V2)距第三漏极(D3)位于第一通孔(V1)与第二通孔(V2)之间的边界的距离(b2)大于4um。

2.如权利要求1所述的TFT阵列基板结构,其特征在于,所述第一通孔(V1)与第二通孔(V2)的开口形状均呈矩形或圆形。

3.如权利要求2所述的TFT阵列基板结构,其特征在于,所述第一通孔(V1)的开口尺寸(a1)大于5um。

4.如权利要求2所述的TFT阵列基板结构,其特征在于,所述第二通孔(V2)的开口尺寸(a2)大于5um。

5.如权利要求1所述的TFT阵列基板结构,其特征在于,所述栅极绝缘层(3)与钝化绝缘层(8)的材料均为氮化硅;所述导电薄膜(9)的材料为氧化铟锡。

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