[发明专利]解决双核内存芯片长线甩线和搭线问题的方法在审

专利信息
申请号: 201710368976.8 申请日: 2017-05-23
公开(公告)号: CN107146764A 公开(公告)日: 2017-09-08
发明(设计)人: 徐新建;刘小俊;张力;洪嘉 申请(专利权)人: 沛顿科技(深圳)有限公司
主分类号: H01L21/60 分类号: H01L21/60
代理公司: 东莞市中正知识产权事务所(普通合伙)44231 代理人: 徐康
地址: 518000 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 解决 内存 芯片 长线 搭线 问题 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种解决双核内存芯片长线甩线和搭线问题的方法,属于芯片处理技术领域。

背景技术

在现有的双内存芯片结构中,双核内存芯片中有两颗内存晶粒,这两颗晶粒在封装体内是背靠背放置,由于上面芯片的金丝(17.5um)是从中间引线到两端,长度约6毫米,在封模时,会出现严重的甩线和搭线,测试良率几乎为零,为了解决这个问题,现在有两种方案技术方案:

1、点胶方案: 使用胶水固定金丝在封模前固定金丝,该方案需要购置点胶设备(15万美元),烘烤设备(10万美元)及合适的胶水,不仅生产成本增加两倍以上,生产周期增多一天,而且存在搭线和内部空洞风险。

2、RDL方案: 该方案是将晶粒上的焊线窗通过晶圆制成引到两端,从而将金丝的长度从6毫米减少到1.5毫米左右,该方案属于晶圆级制成,投资是十多亿美元,而且技术和环境等因素限制,很多公司没法完成,只能外包,单颗生产成本增加20倍以上。

为此本案提出一种方案,可以解决甩线和搭线问题,并通过可靠性验证,该方案的成本增加仅仅10%。

发明内容

本发明的目的在于克服上述的不足,提供解决双核内存芯片长线甩线和搭线问题的方法。

本发明的解决双核内存芯片长线甩线和搭线问题的方法,所述方法为:

在双核内存芯片的上层晶粒Dram2的左端和右端各增加一颗微米镜面假片,分别为Mirror Die1和Mirror Die2,金丝接入微米镜面假片,使得金丝穿过Mirror Die1进入上层晶粒Dram2,在从上层晶粒Dram2中穿过Mirror Die2,从而缩短金丝长度;

在所述的微米镜面假片和上层晶粒Dram2之间通过FOW果冻胶连接,使得金丝镶嵌在FOW果冻胶中,加热FOW果冻胶以固化金丝;

加热FOW果冻胶后,金丝被固化在FOW果冻胶中,并在多根金丝之间形成绝缘层。

本发明的有益效果在于:本发明解决了双核内存芯片长线的甩线和搭线问题,并通过可靠性验证,低于市面上其他的方案成本,方案的成本增加仅仅10%,并且避免使用现存的点胶设计产生的内部空洞。

附图说明

图1为本发明的结构图。

具体实施方式

下面结合附图对发明的优选实施例进行详细阐述,以使发明的优点和特征能更易于被本领域技术人员理解,从而对发明的保护范围做出更为清楚明确的界定。

本发明的解决双核内存芯片长线甩线和搭线问题的方法,所述方法为:

在双核内存芯片的上层晶粒Dram2的左端和右端各增加一颗微米镜面假片,分别为Mirror Die1和Mirror Die2,金丝接入微米镜面假片,使得金丝穿过Mirror Die1进入上层晶粒Dram2,在从上层晶粒Dram2中穿过Mirror Die2,从而缩短金丝长度;

在所述的微米镜面假片和上层晶粒Dram2之间通过FOW果冻胶连接,使得金丝镶嵌在FOW果冻胶中,加热FOW果冻胶以固化金丝;

加热FOW果冻胶后,金丝被固化在FOW果冻胶中,并在多根金丝之间形成绝缘层。

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