[发明专利]传片监测系统及传片监测方法、半导体加工设备

权利要求书

1.一种传片监测系统，用于监测机械手上的晶片是否发生偏移，其特征在于，包括对射传感器和移动装置，所述对射传感器包括：发射极和接收极；

所述移动装置用于驱动所述发射极和所述接收极至少一个移动，且在移动过程中所述发射极和所述接收极之间可进行信号的发送和接收；

当所述晶片静止待检测时，所述发射极和所述接收极分别位于所述晶片所在平面的上侧和下侧；

将所述接收极接收到的信息与预设标准信息进行比较，以判断所述晶片是否发生偏移；

所述预设标准信息是指在晶片未发生偏移的情况下，在所述发射极和/或所述接收极移动过程中，所述接收极接收到的信息；

所述移动装置包括：驱动器和直线导轨；

所述发射极或所述接收极设置在所述直线导轨上；

所述驱动器用于驱动所述发射极或所述接收极沿所述直线导轨进行直线运动；

移动的所述发射极或所述接收极在所述直线导轨上的起始位置和终止位置在所述晶片所在平面上的正投影位置均在处于标准位置的所述晶片的外侧；

所述标准位置是指所述晶片未发生偏移时所处的位置；

所述信息包括：沿所述直线导轨从起始位置到晶片的第一边界位置的第一距离信息、沿所述直线导轨从所述第一边界位置到晶片的第二边界位置的第二距离信息；

通过根据所述接收极接收到的第一距离信息和第二距离信息以及预设标准信息中的第一距离信息和第二距离信息，来计算晶片沿直线导轨所在方向上的第一偏移量。

2.根据权利要求1所述的传片监测系统，其特征在于，所述预设标准信息中还包括晶片的尺寸信息；

通过根据所述接收极接收到的第一距离信息和第二距离信息以及预设标准信息中的第一距离信息、第二距离信息和晶片的尺寸信息，来计算晶片沿直线导轨所在方向上的第一偏移量以及在平行所述晶片的平面上垂直所述直线导轨的方向上的第二偏移量。

3.根据权利要求2所述的传片监测系统，其特征在于，还包括控制装置和报警装置；

所述控制装置，用于计算所述第一偏移量和所述第二偏移量，并判断所述第一偏移量和所述第二偏移量是否均在各自的预设范围内，若至少一者未在预设范围内，则控制所述报警装置发出报警。

4.根据权利要求1所述的传片监测系统，其特征在于，所述驱动器用于驱动所述发射极或所述接收极沿所述直线导轨进行匀速直线运动。

5.根据权利要求1所述的传片监测系统，其特征在于，所述直线导轨的起始位置和终止位置之间的长度比所述晶片的直径长5mm～10mm。

6.根据权利要求1所述的传片监测系统，其特征在于，所述晶片位于标准位置的情况下，沿所述直线导轨方向，所述第一边界位置到第二边界位置之间的距离等于1.735倍的所述晶片的半径。

7.一种半导体加工设备，包括反应腔室和传输腔室，其特征在于，在所述传输腔室内包括权利要求1～6任意一项所述的传片监测系统。

8.一种传片监测方法，其特征在于，采用权利要求1-6任意一项所述传片监测系统来进行监测，包括：

预设标准信息确定步骤：在晶片未发生偏移的情况下，移动装置驱动所述发射极和所述接收极至少一个移动，在移动过程中所述发射极向所述接收极发送信号，所述接收极获得的信息作为预设标准信息；

实际监测步骤：S1，移动装置驱动所述发射极和所述接收极至少一个移动，在移动过程中所述发射极和所述接收极之间可进行信号的发送和接收；

S2，根据所述接收极接收到的信息以及预设标准信息监测所述晶片是否发生偏移。

9.根据权利要求8所述的传片监测方法，其特征在于，在采用权利要求1所述的传片监测系统时，所述步骤S1包括：

所述移动装置的驱动器驱动所述发射极或所述接收极沿所述直线导轨进行直线运动。