[发明专利]OLED基板及其制备方法、显示装置及其制备方法

权利要求书

1.一种OLED基板的制备方法，其特征在于，包括：

通过一次构图工艺，在衬底的上方形成包括OLED器件的第一极和位于所述第一极所在层上方的像素限定层的图形；其中，所述像素限定层包括间隔设置的多个像素挡墙，每一个所述像素挡墙限定一个所述OLED器件的第一极。

2.根据权利要求1所述的OLED基板的制备方法，其特征在于，所述通过一次构图工艺，在衬底的上方形成包括OLED器件的第一极和位于所述第一极所在层上方的像素限定层的图形；其中，所述像素限定层包括间隔设置的多个像素挡墙，每一个所述像素挡墙限定一个所述OLED器件的第一极包括：

在所述衬底的上方依次沉积第一极材料和像素限定层材料；

对像素限定层材料进行不同精度的曝光，形成完全曝光区域、部分曝光区域和未曝光区域；

对曝光后的完全曝光区域和部分曝光区域的像素限定层材料进行显影、刻蚀，去除所述完全曝光区域的像素限定层材料，以暴露出与所述完全曝光区域对应的部分所述第一极材料；

对暴露出的所述第一极材料进行刻蚀，以形成所述第一极；

去除所述部分曝光区域剩余的像素限定层材料，以形成所述像素挡墙。

3.根据权利要求1所述的OLED基板的制备方法，其特征在于，在所述通过一次构图工艺，在衬底的上方形成包括OLED器件的第一极和位于所述第一极所在层上方的像素限定层的图形之前，还包括：

在所述衬底上依次形成薄膜晶体管的各层结构和平坦化层。

4.根据权利要求3所述的OLED基板的制备方法，其特征在于，所述薄膜晶体管为低温多晶硅薄膜晶体管或氧化物薄膜晶体管。

5.根据权利要求1所述的OLED基板的制备方法，其特征在于，在所述通过一次构图工艺，在衬底的上方形成包括OLED器件的第一极和位于所述第一极所在层上方的像素限定层的图形之后，还包括：

在所述衬底的上方且相邻两个所述OLED器件之间形成隔垫物。

6.根据权利要求1所述的OLED基板的制备方法，其特征在于，在所述通过一次构图工艺，在衬底的上方形成包括OLED器件的第一极和位于所述第一极所在层上方的像素限定层的图形之后，还包括：

形成位于所述第一极之上的发光层和第二极。

7.根据权利要求1所述的OLED基板的制备方法，其特征在于，所述第一极采用导电的反射材料制成。

8.一种显示装置的制备方法，其特征在于，包括权利要求1至7任意一项所述的OLED基板的制备方法的步骤。

9.一种OLED基板，其特征在于，包括多个OLED器件，每个所述OLED器件包括第一极和位于所述第一极上的像素限定层，所述像素限定层包括多个像素挡墙，每一个所述像素挡墙和一个所述OLED器件的第一极在衬底上的正投影所限定的区域完全重合。

10.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求9所述的OLED基板。