[发明专利]化学机械抛光头、化学机械抛光系统和方法

说明书

为了提供改进的平坦化，根据本发明的实施例的技术包括CMP工作站，CMP工作站包括具有多个孔的支撑板。多个孔的孔具有由狭槽连接的第一开口和第二开口。本发明的实施例也公开了其他系统和方法。本发明的实施例还涉及化学机械抛光头、化学机械抛光系统和方法。

技术领域

本发明的实施例涉及化学机械抛光头、化学机械抛光系统和方法。

背景技术

在过去的四十年间，通过称为摩尔定律的关系已经增大了集成电路的密度。简言之，摩尔定律如是说，集成电路(IC)上的晶体管的数量几乎每18个月翻一倍。因此，只要半导体工业可以继续支持该简单的“定律”，IC在速度和功率方面几乎每18个月翻一倍。在很大程度上，IC的速度和功率上的该显著的增大已经迎来了当今的信息时代的曙光。

不管人类的活动，自然规律保持适用，不像自然规律，摩尔定律仅在创新者克服了与之相关的技术挑战时才保持适用。创新者近几十年来作出的一个发展是使用化学机械抛光(CMP)来平坦化用于构建IC的层，从而帮助在IC上提供更精确地结构化的器件部件。

发明内容

本发明的实施例提供了一种化学机械抛光(CMP)系统，包括：抛光头，适合于保持晶圆，其中，所述抛光头包括具有多个孔的支撑板，所述多个孔的孔具有由狭槽连接的第一开口和第二开口。

本发明的另一实施例提供了一种与化学机械抛光(CMP)系统相关的抛光头，包括：保持环；以及支撑板，附接至所述保持环，其中，所述支撑板包括多个孔，所述多个孔的孔具有与第一直径相关的第一开口和与第二直径相关的第二开口，并且其中，所述第一开口和所述第二开口由狭槽连接。

本发明的又一实施例提供了一种化学机械抛光(CMP)的方法，包括：将晶圆装载至抛光头的口袋，其中，所述抛光头包括膜、支撑板和保持环；在抛光垫和所述晶圆的前侧之间提供研磨剂料浆；以及当所述晶圆和所述抛光垫相对于彼此移动时，通过所述支撑板上的多个孔将来自压力控制的压力施加至所述晶圆的背侧来抛光所述晶圆。

附图说明

当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳理解本发明的各方面。应该注意，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。

图1A示出了根据一些实施例的具有抛光头的CMP系统的顶视图。

图1B是根据一些实施例的示出正通过图1A的CMP系统和抛光头抛光的晶圆的截面图。

图2是根据一些实施例的具有多个孔的的图1A和图1B的支撑板的顶视图。

图3示出了根据一些实施例的在支撑板上使用的示例孔。

图4示出了根据一些实施例的与由CMP系统抛光的晶圆相关的均匀性图。

图5示出了根据一些实施例的在抛光头中使用的示例保持环。

图6是根据一些实施例的示出晶圆厚度的图。

图7是根据一些实施例示出实施平坦化工艺的方法的流程图。

图8是根据一些实施例示出具有多个压力元件的抛光头的分解图。

图9是根据一些实施例的示出正通过CMP系统和具有多个压力引入口的抛光头抛光的晶圆的截面图。

具体实施方式