[发明专利]复合封装薄膜及其制备方法

权利要求书

1.一种复合封装薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1、将待密封器件放置在反应腔体内；

S2、采用原子层沉积法在所述待密封器件的表面形成非晶态的第一氧化薄膜层；

S3、采用原子层沉积法在所述第一氧化薄膜层上形成非晶态的第二氧化薄膜层；

S4、依次重复上述步骤S2和S3多次，在所述待密封器件表面形成多层所述第一氧化薄膜层和多层所述第二氧化薄膜层；

多层所述第一氧化薄膜层和多层所述第二氧化薄膜层交替叠合，形成复合封装薄膜。

2.根据权利要求1所述的复合封装薄膜的制备方法，其特征在于，步骤S2中，所述反应腔体内的温度为50-100℃，压力为2×10^-3-2×10^-5mbar；

步骤S3中，所述反应腔体内的温度为50-100℃，压力为2×10^-3-2×10^-5 mbar。

3.根据权利要求1所述的复合封装薄膜的制备方法，其特征在于，步骤S2包括：

S2.1、向所述反应腔体内通入三甲基铝0.25s，载气量为50-300sccm，氮气吹扫10s；

S2.2、通入水汽0.25s，氮气吹扫10s，载气量为50-300sccm；

循环步骤S2.1和S2.2多次，在待密封器件的表面形成厚度为1-30nm的所述第一氧化薄膜层；该第一氧化薄膜层为氧化铝薄膜层。

4.根据权利要求3所述的复合封装薄膜的制备方法，其特征在于，步骤S3包括：

S3.1、向所述反应腔体内通入四氯化钛0.2s，氮气吹扫10s，载气量为50-300sccm；

S3.2、通入水汽0.2s，氮气吹扫10s，载气量为50-300sccm；

循环步骤S3.1和S3.2多次，在所述第一氧化薄膜层上形成厚度为1-50nm的所述第二氧化薄膜层；该第二氧化薄膜层为氧化钛薄膜层。

5.根据权利要求1所述的复合封装薄膜的制备方法，其特征在于，步骤S2包括：

S2.1、向所述反应腔体内通入四氯化钛0.2s，氮气吹扫10s，载气量为50-300sccm；

S2.2、通入水汽0.2s，氮气吹扫10s，载气量为50-300sccm；

循环步骤S2.1和S2.2多次，在待密封器件的表面形成厚度为1-50nm的所述第一氧化薄膜层；该第一氧化薄膜层为氧化钛薄膜层。

6.根据权利要求5所述的复合封装薄膜的制备方法，其特征在于，步骤S3包括：

S3.1、向所述反应腔体内通入三甲基铝0.25s，载气量为50-300sccm，氮气吹扫10s；

S3.2、通入水汽0.25s，氮气吹扫10s，载气量为50-300sccm；

循环步骤S3.1和S3.2多次，在所述第一氧化薄膜层上形成厚度为1-30nm的所述第二氧化薄膜层；该第二氧化薄膜层为氧化铝薄膜层。

7.根据权利要求1-6任一项所述的复合封装薄膜的制备方法，其特征在于，步骤S4中、依次重复上述步骤S2和S3八次，在所述待密封器件表面形成具有八层所述第一氧化薄膜层和八层所述第二氧化薄膜层的复合封装薄膜。

8.根据权利要求1-6任一项所述的复合封装薄膜的制备方法，其特征在于，所述待密封器件包括OLED器件。

9.一种复合封装薄膜，设置在待密封器件表面，其特征在于，所述复合封装薄膜包括多层非晶态的第一氧化薄膜层和多层非晶态的第二氧化薄膜层，多层所述第一氧化薄膜层和多层所述第二氧化薄膜层交替叠合。

10.根据权利要求9所述的复合封装薄膜，其特征在于，所述第一氧化薄膜层和第二氧化薄膜层二者中，一者为氧化铝薄膜层，另一者为氧化钛薄膜层。