[发明专利]双面空心纳米针阵列装置及其制备方法

权利要求书

1.一种双面空心纳米针阵列装置，其特征在于：包括上下两层均安装有若干空心纳米针头排布形成的空心纳米针头阵列，所述上空心纳米针头阵列的各空心纳米针头与下空心纳米针头阵列中的各空心纳米针头对应，且所述上空心纳米针头阵列的各空心纳米针头上连通有微流管道，所述下空心纳米针头阵列的各空心纳米针头也与所述微流管道连通，所述微流管道的两端部都设有小孔。

2.根据权利要求1所述的双面空心纳米针阵列装置，其特征在于：所述空心纳米针头为氧化硅管状空心纳米针头，其孔径范围值是在200-400nm之间，空心纳米针头的长度是2-4um。

3.根据权利1所述的双面空心纳米针阵列装置，其特征在于：所述微流管道长度为100-120um。

4.根据权利要求1所述的双面空心纳米针阵列装置的制备方法，其具体步骤是：

(1)制备上空心纳米针头阵列、下空心纳米针头阵列；

(2)将上空心纳米针头阵列及下空心纳米针头阵列均与微流管道连通。

5.根据权利要求4所述的双面空心纳米针阵列装置的制备方法，其特征在于：

上述步骤(1)所述的制备上空心纳米针头阵列或下空心纳米针头阵列的步骤如下：

使用具有均匀纳米孔径的聚碳酸酯衬底膜作为模板

a、首先使用原子层沉积技术，用气相的三或二甲胺基或硅烷作为前驱体与水蒸汽脉冲交替地通入反应器，在模板基体的所有表面包含内孔壁沉积上均匀的氧化硅层；

b、然后利用等离子体刻蚀法，用SF₆和CF₄气体将上表面的氧化硅刻蚀掉；

c、接着进一步利用O₂等离子体刻蚀将部分的衬底膜刻蚀掉，形成氧化硅管状空心纳米针头结构。

6.根据权利要求4所述的双面空心纳米针阵列装置的制备方法，其特征在于：

上述步骤(2)所述的空心纳米针头阵列与微流管道整合的步骤如下：

a、使用光刻技术在硅片上制作SU-8光刻胶微流管道模具，并用此模具复制制作聚二甲基硅氧烷微流管道模块；

b、所述聚二甲基硅氧烷微流管道的两末端各钻小孔，用于连接导管输送溶液，且PDMS模块使用未固化的PDMS胶，将空心纳米针头阵列的衬底与PDMS粘合，形成双面空心纳米针阵列。