[发明专利]石墨烯声传感器阵列在审

专利信息
申请号: 201710364339.3 申请日: 2017-05-22
公开(公告)号: CN107246909A 公开(公告)日: 2017-10-13
发明(设计)人: 郭新华;曹凯华;叶小东 申请(专利权)人: 武汉理工大学
主分类号: G01H11/06 分类号: G01H11/06;H04R19/04
代理公司: 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙)42222 代理人: 胡艳
地址: 430070 湖*** 国省代码: 湖北;42
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 石墨 传感器 阵列
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种石墨烯声传感器阵列,可应用于工业无损检测。

背景技术

麦克风是一种将声音信号转换为电信号的换能器。通过它可以采集自然界中的声音信号并将其转化为数字信号,以便于后续的滤波、放大等处理。目前广泛使用在消费电子产品领域中的为电容式驻极体麦克风,其基于电容原理,将上下极板间距的改变转换为电压值的变化。声波的振动会引起上极板(振动膜)的振动,从而导致振动膜偏离原平衡位置。由于下极板是固定的,所以声波的振动会引起上下极板间的距离发生变化,导致电容值改变。驻极体麦克风采用了可保持永久电荷的驻极体薄膜作为上极板,因此不需要对电容器供电。但是由于放大电路的存在,驻极体麦克风仍需要低压进行供电。

驻极体麦克风因其低廉的价格被广泛使用,但是其本身性能存在缺陷。在复杂声学环境下,噪声总是来自四面八方,并且噪声信号与语音信号在频谱上往往是相互交叠的,再加上回波和混响的影响,利用单个驻极体麦克风捕捉相对纯净的声音信号是极其困难的。单个麦克风为了全面获取声源的信息,只能采取多次扫描的方式,但是受限于麦克风数量,这个过程往往需要很长的时间。另外,由于驻极体薄膜的限制,驻极体麦克风的频率响应带宽也是有限的,无法对超越人耳听力极限的超声波信号进行处理。

发明内容

本发明的目的是提供一种石墨烯声传感器阵列。

为达到上述目的,本发明采用如下技术方案:

石墨烯声传感器阵列,包括上极板、下极板和绝缘层,其中:

上极板包括支撑板和支撑板上沉积的石墨烯薄膜层,支撑板上均匀布设通孔阵列;

下极板和上极板尺寸一致,下极板包括上支撑板、布线板和下支撑板,上支撑板上表面布设与通孔阵列对应的金属触点阵列,下支撑板下表面布设与金属触点阵列对应的放大电路单元阵列,布线板上所设布线用来将金属触点和放大电路单元一一对应连接;

绝缘层上也布设有通孔阵列,该通孔阵列与支撑板上通孔阵列相对应;绝缘层位于上极板和下极板间,且与上极板和下极板均接触。

进一步的,支撑板为PCB板。

进一步的,上极板支撑板一角设有与石墨烯薄膜层连接的稳压电路。

进一步的,支撑板、布线板和下支撑板均为PCB板。

本发明将多个石墨烯声传感器集成成声传感器阵列,协同工作可以更容易捕捉纯净的声音信号,类似人类的双耳效应。声传感器阵列可进行声源定位,石墨烯的加入可提高声传感器阵列频率响应的带宽,使其可以捕捉超越人耳听力上限(20K Hz)的超声波。

和现有技术相比,本发明具有如下技术效果:

(1)人耳能听到的声音频率范围内,追踪声音的效果优于普通电容式驻极体麦克风。

(2)人耳能听到的声音频率范围外,得益于石墨烯薄膜优异的区域质量密度与力学性能,此声传感器阵列能追踪超声波。

(3)通过相关算法,可利用声传感器阵列进行声源定位、声音成像及工业无损检测。

附图说明

图1为本发明整体结构及应用示意图;

图2为本发明具体的分层结构图;

图3为上极板的平面示意图;

图4为上极板的立体示意图;

图5为下极板上表面的平面示意图;

图6为下级板下表面的平面示意图;

图7为放大电路单元的电路原理图。

图中,1-上极板,101-镀金支撑板,1011-基板,1012-镀金层,102-通孔,103-石墨烯薄膜层,2-下极板,201-金属触点,202-放大电路单元,3-绝缘层。

具体实施方式

下面结合附图对本发明作进一步说明。

见图1~2,本发明石墨烯声传感器阵列包括上极板1、下极板2和绝缘层3,绝缘层3位于上极板1和下极板2之间,且与上极板1和下极板2均接触。见图3~4,上极板1包括镀金支撑板101和镀金支撑板101镀金面上转移沉积生长的石墨烯薄膜层103。本具体实施中,镀金支撑板101为厚度2mm、边长120mm的镀金PCB板,其上均匀布设有16×16的通孔阵列,各通孔102孔径为5mm,相邻通孔102的孔心间距为7mm。采用“转移”的方法使镍基石墨烯“生长”在PCB板镀金面上,生长成为石墨烯薄膜层103。上极板1一角设有与石墨烯薄膜层103连接的供电电路,供电电路连接外部电源,可使石墨烯薄膜层103上电压恒定。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉理工大学,未经武汉理工大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710364339.3/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top